編者按：濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品屬于電(diàn)子(zǐ)化(huπγ÷à)學品領域的(de)一(yī)個(gè)分(fēn)支，其純度和(hé)潔淨度對(¶↓duì)電(diàn)子(zǐ)元器(qì)件(jiàn)♦&的(de)成品率、電(diàn)性能(néng)和(hé)可(kě)靠性有(yǒu)十分(¥< fēn)重要(yào)的(de)影(yǐng★)響。
濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品行(xíng)業(yè÷§)現(xiàn)狀與發展趨勢
一(yī)、濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品概況（一(yī)）濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品簡介濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品，又(yòu)稱超σ♣淨高(gāo)純試劑或工(gōng)藝化(huà)學品，是(shì)指主體(tǐ♠σ)成分(fēn)純度大(dà)于99.99%，雜(zá)質離(lí)子(zǐ)和(hé)微(wēi)粒數(shù)符合嚴格要(yà€ ♠o)求的(de)化(huà)學試劑。主要(yào)為(wèi)硫酸、鹽酸、氫♥氟酸、氨水(shuǐ)、氫氧化(huà)鉀、丙酮、±β¶乙醇、異丙醇等為(wèi)原料，經過預處理(lǐ)✔、過濾、提純等工(gōng)藝得(de)到(dào)的(de<↕)高(gāo)純産品。按照(zhào)用(yòng)途分(fēn)為(wèi)通(tōng)用(yò↓₹€ng)化(huà)學品和(hé)功能(n÷>éng)性化(huà)學品兩類。通(tōng)用(yòng)化(huà)¥≤學品以高(gāo)純溶劑為(wèi)主，例如(rú)氧化(huà)氫、氫氟酸、硫♦♦÷∞酸、磷酸、鹽酸、硝酸等，主要(yào)用(yòng)于光(guān©↑↓g)伏、顯示、半導體(tǐ)三大(dà)領域制(zhì)造過程中的(de)清洗、刻蝕環節→πφ；功能(néng)性化(huà)學品主要(yào)包括顯影(yǐng)液、剝離(lí)液、刻蝕™液等。通(tōng)用(yòng)型濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品↓§≠♥需求占比超過80%，其中用(yòng)量最大(dà)的(de)有(yǒu)硫酸、雙氧水(shuǐ)、氧化 ≥(huà)氫、氫氟酸、氫氧化(huà)鉀等。
濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學 ÷↑>品目前廣泛應用(yòng)在太陽能(néng)矽片、平闆顯示、半導體γ≥(tǐ)的(de)生(shēng)産制(zhì↓ ♦)造過程中的(de)清洗（去(qù)除塵粒、金(jīn)屬離(lí)子(zǐ)、有(yǒu)機(jī)物( ↓wù)質等雜(zá)質）和(hé)刻蝕環節。電(diàn)子(zǐ)産品的(de)制(z€"≠hì)作(zuò)過程有(yǒu)極高(gāo)的(de)規格要(yào)求，細微(wēi)污染×₩或不(bù)純淨都(dōu)會(huì)導緻成品率、電(♠βdiàn)性能(néng)、可(kě)靠性受到(dào)嚴重影(yǐng)響。
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| | 空(kōng)氣、操作(zuò)人(rén)員♣€(yuán)、設備、化(huà)學試劑工(gōng)業(yè)氣體"÷$≤(tǐ) | | 氨水(shuǐ)、雙氧水(shuǐ)、氫氟酸、硫酸 |
| 皮膚油脂、機(jī)械油、矽樹(shù)脂、試劑雜(zá)質 | 空(kōng)氣中的(de)有(yǒu)機(jī)蒸汽、存儲的('de)容器(qì)、試劑殘留物(wù) | | |
| | 離(lí)子(zǐ)注入、刻蝕等諸多(duō)環節的(de)殘留等 | 金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)變成可(kě)溶性離(lí±☆γ)子(zǐ) | |
| 原生(shēng)氧化(huà)層、化(huà)學氧化(huà)層 | 車(chē)間(jiān)水(shuǐ)分(fēn)®§、空(kōng)氣、雙氧水(shuǐ) | | |
濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品的(de)關鍵生(shēng)産技&✘ π(jì)術(shù)包括混配技(jì)術(shù)、分(fēn)¶離(lí)技(jì)術(shù)、純化(huà)技(jì)術(shù)以及與其生(shēng)産相✔&₹₩(xiàng)配套的(de)分(fēn)析↑≥∏檢驗技(jì)術(shù)、環境處理(lǐ)與檢測技(jì)術(shù✘♠§∑)等。通(tōng)用(yòng)型濕電(di♣•₩àn)子(zǐ)化(huà)學品生(shēng)産工(g↔★≤ōng)藝包括材料合成、精制(zhì)提純、分(≈₩σfēn)析、檢測等；功能(néng)性濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品生(shēng)産工(gōng¥$)藝包括材料合成、提純、分(fēn)析、配方設計(jì)與配制(zhì)、檢測等。±πδ₩二、市(shì)場(chǎng)規模與國(guó™♠)産化(huà)程度根據WSTS等多(duō)家(jiā)機(jī)構統計(j$π₽ì)，2021年(nián)，全球濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學α≈∞品整體(tǐ)市(shì)場(chǎng)規模達到(dào)>•約65億美(měi)元。根據中國(guó)電(diàn)子(zǐ)λπ材料協會(huì)等機(jī)構統計(jì)，2021¶¶年(nián)國(guó)內(nèi)濕電(diàn)子(zǐ)✘↓λ化(huà)學品市(shì)場(chǎng)規模143.2億元，其中半導體₹£(tǐ)用(yòng)濕電(diàn)子(zǐ≥")化(huà)學品市(shì)場(chǎng)規模50.1億元，顯示領域55.1億↕< ✘元，太陽能(néng)電(diàn)池領域38億元。合計(jì)1£ ₹♣43.2億元。預計(jì)2025年(nián♥)需求達211萬噸，年(nián)複合增長(cháng)率10.2%。
| 2021年(nián)國(guó)內(n¶₹±èi)市(shì)場(chǎng)規模 | |
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增長(cháng)趨勢：未來(lái)濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品的(de)需求增α長(cháng)主要(yào)來(lái)自(zì)半導體(tǐ)和(hé)顯↔☆α示面闆行(xíng)業(yè)，晶圓廠(chǎng)新增産能(néng)不(bùε₩π)斷落地(dì)疊加晶圓尺寸擴大(dà)到(₹↔$<dào)12英寸；顯示面闆行(xíng)業(yè)向高(gāo)世代線産品不(bù)斷升級，均對(duì)★¶®濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品提出了(le)更高(gāo)技(jì)♠₽術(shù)要(yào)求，同時(shí)也(y ₩ě)增加了(le)對(duì)濕電(di¶×βλàn)子(zǐ)化(huà)學品的(de)¥>∑耗用(yòng)量。根據中國(guó)産業(yè)信息網的(de)數(sh♦→§ù)據，12英寸晶圓制(zhì)造所消耗的(de)濕電(diàn)子(zǐ)化(hu ∑à)學品是(shì)8英寸晶圓的(de)4.6倍，是(shì)6英寸≥∞♣晶圓的(de)7.9倍。OLED是(shì)LCD的(de)7倍。濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品行(xíng)業(yè)技(≥♦jì)術(shù)門(mén)檻較高(gāo)，其發展與半導體(tǐ)制(zhì)造業↔♠(yè)的(de)發展保持同一(yī)步調，歐美(měi)和(hé)日(rì)本企業(yè)占據♥♣↑全球市(shì)場(chǎng)主導地(dì)位。在中國(guó)大↔✔σ(dà)陸市(shì)場(chǎng)，以德國(Ωguó)巴斯夫、德國(guó)默克、美(měi)國(guó)•×霍尼韋爾、美(měi)國(guó)英特格為(wèi)代表的(de)歐★•φ≥美(měi)企業(yè)占據中國(guó)大(dà)陸市(shì≤ )場(chǎng)的(de)35%；以住友(yǒu)化(huà)學、三菱化(huà)學、關東(d©★ōng)化(huà)學、Stella等為(wèi)代表的(de)日(rì)韓企占據中國(guó)¥ 大(dà)陸市(shì)場(chǎng)的♠♦(de)30%；中國(guó)大(dà)陸企業(yè)僅在細分(fēn)産品領域具有(yǒu)一(↔§£↔yī)定的(de)市(shì)場(chǎ♥$σng)集中度，整體(tǐ)市(shì)場(chǎng)占有(✔<εyǒu)率成都(dōu)度不(bù)高(gāo)，如(rú)，在晶圓制(zhì)≥∑♥造中用(yòng)量最大(dà)的(de)硫酸↑β £國(guó)産化(huà)率僅10%。從(cóng)國(guó)産化(huà)程度來(lái)看(kàn)，光(guāng)伏、顯示≈≈π>面闆、半導體(tǐ)領域的(de)濕電(diàn)子(zǐ)化(huà•γ"Ω)學品國(guó)産化(huà)率分(fēn)别為(w₽δ$èi)99%、40%、25%。在半導體(tǐ)晶圓制(z∞←γhì)造領域，6寸以下(xià)的(de)國(guó)産化(h✘¶uà)率為(wèi)83%左右，8寸及8寸®$☆以上(shàng)的(de)國(guó)産化(h™☆φ©uà)率不(bù)足20%，大(dà)部分♦π(fēn)産品需要(yào)進口；在顯示面闆領域，6代線（1500*1Ω>850mm）以下(xià)的(de)國(guó)産化♠★♠(huà)率超過80%，6代線及以上(shàng)的(de)國(guó)•™≠産化(huà)率僅30%左右。
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| 6寸以下(xià)約為(wèi)83%；8寸及以上(sh±™àng)不(bù)足20%。 |
| 6代線以下(xià)約為(wèi)83%；6代線及以上(shàng)僅☆ <30%。 |
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三、同行(xíng)業(yè)競争企業(yè)
濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學π±品的(de)三大(dà)應用(yòng)領域中，除< 光(guāng)伏領域國(guó)産化(huà)達到(dàδα→o)99%外(wài)，顯示領域和(hé)半導體(α £₹tǐ)領域國(guó)産化(huà)率較低(dī)，多(duō)≤γ>為(wèi)國(guó)外(wài)進口。國(guó)際濕電(diàn)子(zǐ)β↑化(huà)學品供應商以歐美(měi)和(hé)日(rì)本的(de)材料企業(yè)為(wèi) 主，主要(yào)産企業(yè)如(rú)下(xià)：
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| | 為(wèi)半導體(tǐ)行(xíng)業(yè)和(hé)顯≥"示行(xíng)業(yè)提供濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品，領先供應商 |
| 主攻半導體(tǐ)領域，提供高(gāo)純度濕電(d✘"≤iàn)子(zǐ)化(huà)學品 |
| 提供氫氟酸、氫氧化(huà)铵、過氧化(huà)氫、鹽酸等高(gāo)純≈∞←度濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品×ε$ |
| 是(shì)半導體(tǐ)和(hé)其他(tā)高(gāo)≤±科(kē)技(jì)行(xíng)業(y裧)的(de)先進材料和(hé)工(gōng)藝解決方案的(de)供應商 |
| | 主要(yào)從(cóng)事(shì)半導體(tǐ)用₽≤♦σ(yòng)酸堿類超淨高(gāo)純試劑的(d↓®™e)生(shēng)産、研發 |
| 主要(yào)生(shēng)産高(gāo)純電(diàn)子(zǐ)濕化(huà)學€§品，如(rú)硫酸、硝酸、鹽酸、草(cǎo)酸、雙氧水(shuǐ)、氨水(×→πshuǐ) |
| 主要(yào)從(cóng)事(shì)半導體(tǐ)、顯示面闆等領域超淨高(gāλ∞o)純試劑的(de)生(shēng)産、研發 |
| 主要(yào)從(cóng)事(shì)半導體(tǐ)及顯示面Ω←闆用(yòng)高(gāo)純氫氟酸生(shēng)™'©産 |
| | 進兩廠(chǎng)家(jiā)主要(yào)生(shēng)産顯示面闆加工( •φgōng)用(yòng)的(de)濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品，★ ∑₩在我國(guó)有(yǒu)一(yī)定規模的(de)市(shì)場(chǎng)份額 |
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| | 主要(yào)生(shēng)産半導體(tǐ)、TFT-LCD 用(yòng)剝離(lí>∏β♥)液、顯影(yǐng)液等産品 |
| 台灣聯仕擁有(yǒu)3-4萬噸濕電(diàn)子(z∞÷ǐ)化(huà)學品年(nián)産能(néng)，≠✘在我國(guó)半導體(tǐ)應用(yòng)領§≥域中有(yǒu)一(yī)定市(shì)場(chǎng)份額 |
國(guó)內(nèi)的(de)濕電(diàγ÷σn)子(zǐ)化(huà)學品企業(yè)大(dà)緻分(fēn)為(wè δi)三類：（1）第一(yī)類是(shì)以江化(huà)微(wēi)、江€≤陰潤瑪、聯仕化(huà)學為(wèi)代表的(de)專營濕電(diàn)子(zǐ)↕α'♣化(huà)學品的(de)供應商，産品類型多(duō)，産品等級不(bù)等（聯仕等≠α級較高(gāo)）；（2）第二類是(shì)以晶瑞電(diàn)ᧀ材、中巨芯等為(wèi)代表的(de)，以泛半導體(tǐ)材£料為(wèi)主的(de)供應商，産品除了(le)濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品外♦≈☆≥(wài)也(yě)經營其它半導體(tǐ)材料，這(πγλλzhè)類企業(yè)在半導體(tǐ)行(xín₩≤÷g)業(yè)具有(yǒu)客戶導入優勢；（3）第三類企業(yè)是(shì)以巨化(huà)股份、濱化(h↑<®uà)股份為(wèi)代表的(de)大(γ©dà)型化(huà)工(gōng)企業(yè)，濕電(dià₽₹n)子(zǐ)化(huà)學品隻占這(zhè)類企業(♥←γ↕yè)收入中的(de)少(shǎo)部分(fēn)∞γ☆，但(dàn)在原材料方面具有(yǒu)相(xiàng)對(duì)優勢。
四、行(xíng)業(yè)發展趨勢
1、國(guó)産替代空(kōng)間(jiān)→Ω廣闊2021年(nián)，國(guó)內(nèi)濕電(diàn)子(zǐ)化(huàβ★✔♥)學品市(shì)場(chǎng)規模約143億元±✔，太陽能(néng)電(diàn)池、顯示面闆、半導體(tǐ)三大(dà)領域分(£≥πfēn)别的(de)需求規模為(wèi)38億元、↔σ'55.1億元、50.1億元，其中，太陽能(néng)電(diàn)池領域已實現(xiàn)了βγ£®(le)國(guó)産化(huà)，而顯示領域和(hé)面闆領域合計(jì)市(shì)場(ch♣>≠∑ǎng)需求105億元，而國(guó)産化(huà)率僅為(wèi)40%和(hé)20%， ↕國(guó)産替代空(kōng)間(jiān)巨大(dà)。2、市(shì)場(chǎng)需求規模持續增長(cháng)随著(zhe)顯示産業(yè)及半導體(tǐ)産業(yè)持續向中國(gu✔ ó)遷移，國(guó)內(nèi)對(duì)濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品的(d₹∞γe)需求持續擴大(dà)。半導體(tǐ)行(xíng)業(yλ∏±è)中，大(dà)陸晶圓廠(chǎng)進入投産高(gāo)峰，濕電(diàn)子(zǐ)&•≤Ω化(huà)學品用(yòng)量大(dà)幅增加，且産≠σ 品規格要(yào)求提高(gāo)附加值大(dà)；顯示行(xíng)業(yè)中，多(>∞♠duō)條高(gāo)世代面闆産業(yè)及®≠εOLED市(shì)場(chǎng)的(de)滲透，拉動濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學σ♥β品用(yòng)量提升；光(guāng)伏市(shì)場(ch←₽ǎng)中，平價上(shàng)網打開(kāi)太陽能(néng)電(diàn)池±↑₹ 片用(yòng)濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品的(de)增Ωβ 長(cháng)空(kōng)間(jiān)。預計(jì)未來(lái)三年♣'(nián)，國(guó)內(nèi)濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品的(de)市&λ(shì)場(chǎng)規模将保持22%的(de)高(gāo)增速。保守預計(jì)，♣©♠2025年(nián)國(guó)內(nèi)濕電(diàn)子(z∞§✔ǐ)化(huà)學品市(shì)場(chǎng)規模将超₽≥Ω"過300億元。3、産品規格要(yào)求不(bù)斷提高(gāo)從(cóng)下(xià)遊應用(yòng)來(lái)看(kàn)，随著 ∑(zhe)半導體(tǐ)行(xíng)業(yè)∑δ'₹制(zhì)程等不(bù)斷提高(gāo)，以及顯示領域OLE¥∏D的(de)持續滲透，濕電(diàn)子≠≥×ε(zǐ)化(huà)學品具備更新叠代快(kuài)βΩ♠δ、質控要(yào)求及技(jì)術(shù)壁壘不(bù)斷提高(gāo)的( φ☆de)特點，而國(guó)內(nèi)僅有(yǒu)極少(shǎo)數(shù)企業(yè↕£)能(néng)達到(dào)穩定規模化(huà)生(shēng)α♣<★産G4、G5級别的(de)濕電(diàn)子(zǐ)化(huà)學品，與國δ≠♥(guó)際頂尖企業(yè)具有(yǒu)一(yī)定的(de)差距，≈¶∏✘因此擁有(yǒu)競争力強的(de)高(gāo)端技(jì)術(shù)以及具備客₩↓≤α戶導入優勢的(de)企業(yè)将迎來(lái)更廣闊的(§≥de)發展前景。
