編者按：濺射靶材身(shēn)為(wèi)半導體(t&£≠ǐ)芯片材料的(de)核心，具有(yǒu)很β€♠(hěn)重要(yào)的(de)研究價值。本文(wén)将主要(<§✔yào)從(cóng)定義、規模、行(xíng)業(yè)壁壘、行(xíng)業∑∑ β(yè)發展前景等對(duì)濺射靶材進行(xíng)分(fēn)析，使大(dà)家(jiā)對(duì)濺射靶材具有(yǒu)更深度了(le)解。

半導體(tǐ)材料之濺射靶材

1. 濺射靶材的(de)定義

磁控濺射鍍膜是(shì)一(yī)種新型的(de)物(wù)理‌'(lǐ)氣相(xiàng)鍍膜方式,就(jiù)是(shì)用(yòng)電(dià↓↓n)子(zǐ)槍系統把電(diàn)子(zǐ)發射并聚焦在被鍍的(de)材料上(shàng)，使其被濺射出來(lái)的(de)原子(zǐ)遵循動量≈σ 轉換原理(lǐ)以較高(gāo)的(de)動能(néng)脫離(lí)材料飛(fē× i)向基片澱積成膜。這(zhè)種被鍍的(de)材料就(jiù)叫濺射靶材。濺射靶材有(yǒu)金(jīn)屬、合金(jīn)、陶瓷化(huà)合物(wù)等。濺射靶•↔×>材主要(yào)應用(yòng)于電(diàn>ε)子(zǐ)及信息産業(yè)，如(rú)集成電(diàn)路(lù)、信息存儲、液晶顯示屏、激光>✔α≠(guāng)存儲器(qì)、電(diàn)子(zǐ)控制($Ω©zhì)器(qì)件(jiàn)等；亦可(kě)應用(yòng)于玻璃鍍膜領域；還(hái)可(kě  &​)以應用(yòng)于耐磨材料、高(gāo)溫耐蝕、 ≈高(gāo)檔裝飾用(yòng)品等行(xíng)業‍∑₩(yè)。

2. 濺射靶材分(fēn)類

根據形狀可(kě)分(fēn)為(wèi)方靶，圓靶，異型靶；

根據成分(fēn)可(kě)分(fēn)為(wèi)金(jīn)屬靶材、合金(jīn)靶材、陶瓷化(huà)合物(wù)靶材；

根據應用(yòng)不(bù)同又(yòu)分(fēn)為(wèi)半導體(tǐ)關聯陶瓷靶材、記錄介質陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超→©γ×導陶瓷靶材和(hé)巨磁電(diàn)阻陶瓷靶材等；

根據應用(yòng)領域分(fēn)為(wèi)微(wēi)電✘ σ®(diàn)子(zǐ)靶材、磁記錄靶材、光(guāng)碟靶材、貴金(jīn)屬靶材、薄膜電(diàn)阻靶材、導電(diàn)膜靶材、表面改性靶材、光(guāng)罩層靶材、裝飾層靶材、電(Ω" >diàn)極靶材、封裝靶材、其他(tā)靶₽±↓材。

3. 産業(yè)鏈

3.1 産業(yè)鏈上(shàng)遊情況

靶材純度要(yào)求高(gāo)，其中薄膜太陽能(néng)電(​↑diàn)池與平闆顯示器(qì)要(yào)求純度為(wèi)4N，集成電(diàn)路(lù≤♥π€)芯片要(yào)求純度為(wèi)6NΩ♥。

金(jīn)屬提純的(de)主要(yào)方式有(yǒu)化λΩ(huà)學提純與物(wù)理(lǐ)提純，化(huà)學提純主要(y✔∏✘≥ào)分(fēn)為(wèi)濕法提純與火(huǒ)法提純， π₩×通(tōng)過電(diàn)解、熱(rè)分(fēn)解等方式析出主¥&金(jīn)屬。物(wù)理(lǐ)提純則是(shì)通(tōng)過蒸發結晶、電♥↔(diàn)遷移、真空(kōng)熔融法等步驟提純得(d '≤e)到(dào)主金(jīn)屬。

全球範圍內(nèi)高(gāo)純金(jīn)屬産業"€(yè)集中在美(měi)國(guó)、日✔₩(rì)本等國(guó)家(jiā)，國(g∏÷uó)産靶材的(de)大(dà)部分(fēn)高(gāo)純原∑•料依賴進口，銅钛鋁小(xiǎo)部分(fēn)可(kě)₩✘以自(zì)給。挪威海(hǎi)德魯是(shì)全球5N5級高(gā≈♣←¶o)純鋁最大(dà)的(de)公司。

全球範圍內(nèi)，高(gāo)純金(jīn♣γπ)屬産業(yè)集中度較高(gāo)，美($¶→✘měi)國(guó)、日(rì)本等國(guó)家(jiā)的(de)高(gāo)純∏™金(jīn)屬生(shēng)産商依托先進的(±​de)提純技(jì)術(shù)在整個(gè)産業(yè)鏈中居于十分(fēn)有(yǒ©®‍&u)利的(de)地(dì)位，這(zhè)也(yě)是(shì)國(guó)外(∏₩↔wài)得(de)以寡占靶材市(shì)場(★"εσchǎng)的(de)重要(yào)原因。

3.2 産業(yè)鏈中遊情況

産業(yè)鏈中遊主要(yào)包括靶材制(zhì)造和(hé)濺射鍍膜兩大(dà)環∞λ₽節。針對(duì)靶材制(zhì)造環節，靶材制(zhì)造涉及的(de×​$)工(gōng)序繁多(duō)，技(jì)術(shù)門(₩≥¥€mén)檻高(gāo)、設備投資大(dà)，具有(yǒu)÷↔規模化(huà)生(shēng)産能(néng)力的(de)企業(yè)數(shù₽ )量相(xiàng)對(duì)較少(shǎo)。目前全球靶材制(zhì)造業(yè)，尤其是≥¶σ(shì)高(gāo)純度靶材市(shì)場$&←↓(chǎng)，主要(yào)份額集中在海(hǎi)外(wài)巨頭手中。美(měi)日(©↕rì)龍頭企業(yè)在掌握核心生(shēng)産技(jì)術(shù)∑₽€​後，實施嚴格保密措施來(lái)限制(zhì)技(jì)術(shù)外(wài)∑₩洩，并通(tōng)過擴張整合把握全球濺射靶材市(shì)場(chǎng)δ£×λ的(de)主動權，先發優勢明(míng)顯。

針對(duì)濺射鍍膜環節，鍍膜的(de)主要(yào)工(gōng)藝有(yǒu)物(wù)理(✔☆lǐ)氣相(xiàng)沉積（PVD）和→•(hé)化(huà)學氣相(xiàng)沉積（CVD）。PVD技(jαπì)術(shù)是(shì)目前主流鍍膜方法，其中的(de)濺射工(gōng)藝在半導體(t" $ǐ)、顯示面闆應用(yòng)廣泛；CVD技(jì)術(shù)主要(yào)通(tōng)過§β©♦化(huà)學反應生(shēng)成薄膜，在高(gā♥δo)溫下(xià)把含有(yǒu)薄膜元素的(de)一"♠∞(yī)種或幾種氣相(xiàng)化(huà)合物(wù)或單質引入反應室，在襯底表面上Ω♥ δ(shàng)進行(xíng)化(huà)學反應生(shēng)成薄膜♣ φ。在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要(yào)安裝在機(≠↕★≤jī)台中完成濺射反應，濺射機(jī)台專用(yòng)性強、精密度÷↓↑高(gāo)。濺射鍍膜市(shì)場(chǎng)長(cháng)期被美(měi)國(guó)、€↑β"日(rì)本跨國(guó)集團壟斷，是(shì)集成電(diàn)路σ±©(lù)和(hé)顯示面闆不(bù)可(kě)或✔↑'<缺的(de)環節之一(yī)。

3.3 産業(yè)鏈下(xià)遊情況

根據數(shù)據顯示，按照(zhào)應用(y≠ òng)領域分(fēn)類，靶材下(xià)遊應用(yòng)領域包括半導體(tǐ)γ‍芯片、平闆顯示器(qì)、太陽能(néng)電(diàn)池、信息存儲、工(gōng)具改Ω→≠✘性、電(diàn)子(zǐ)器(qì)件(jiàn♠↓)和(hé)其他(tā)領域。半導體(tǐ)芯片、平闆顯示、太陽能(nén÷¶g)電(diàn)池和(hé)信息存儲為(wèi)高(gāo)純濺射靶材的₽§φ(de)四大(dà)應用(yòng)領域，合計(jì)占比達94%。​×≠✔其中，半導體(tǐ)芯片對(duì)濺射靶材××↓的(de)金(jīn)屬材料純度、內(nèi)部微(wēi)觀結構等方面♦ε→都(dōu)設定了(le)極其苛刻的(de)标準，技(jì)術(shù)要(yσ← πào)求最高(gāo)，認證過程最為(wèi)嚴格。

半導體(tǐ)

半導體(tǐ)是(shì)對(duì)靶材要(yào)求純度最高≥☆♦(gāo)的(de)領域，也(yě)是(shì)目前國(guó)産化(huàφ→)率最低(dī)的(de)一(yī)個(gè)領域。主要(yà≠←o)在晶圓制(zhì)造和(hé)芯片封裝兩個(gè)環γ₽₩節使用(yòng)，其中介質層、導體(tǐ)層、保護層都(dōu)要(yào)使5N‍©¶級以上(shàng)純度的(de)靶材濺射≥♣÷←鍍膜，先進制(zhì)程要(yào)求更高(gāo)純度的(de)金(↕♦∞jīn)屬。

全球半導體(tǐ)靶材市(shì)場(ch§≤φǎng)規模與全球半導體(tǐ)材料市(shì)場(chǎng♠<δ‌)規模變化(huà)趨勢相(xiàng)∑' 近(jìn)，據數(shù)據統計(jì)，靶材在晶圓制(zhì)造和(hé)封測規模成本 ₽占比約為(wèi)2.7%。2020年(nián)全球半導體≠ (tǐ)靶材市(shì)場(chǎng)規模達15.67億美(měi← ©)元，我國(guó)半導體(tǐ)靶材市(shì)場(chǎng)規模約29.86億元≠>​，日(rì)美(měi)廠(chǎng)商壟斷90%的(de‍✘✘)芯片靶材市(shì)場(chǎng)份額。

平闆顯示

在全球面闆行(xíng)業(yè)的(de)幾輪‌₹大(dà)周期中，産業(yè)鏈在變遷中重新分(fēn)布，以低(dī✘≥€)成本、高(gāo)質量的(de)優勢，國(guó)內(nèi)快(kuài)速推進λ§↕LCD面闆國(guó)産化(huà)，逐步搶占三星、LG等市(shì)場(chǎng✘>•π)份額，上(shàng)遊原料端的(de)國(guó)産化(huà)率持續  π♥提升。面闆面積穩定增長(cháng)，中國(↔☆guó)份額逐步提高(gāo)，推動國(guó)內(nèi)靶材市(shì)場(chǎng)更快(♦♠kuài)增長(cháng)。2020年(nián) ✔全球平闆顯示靶材市(shì)場(chǎng)規模約52億美(měi)元，複合增速約8%。國(guαβó)內(nèi)市(shì)場(chǎng)規模約165.9億元，複合增速約20%，☆α全球占比約47%。

光(guāng)伏領域

靶材在光(guāng)伏領域主要(yào)用(yòng)于薄膜電(diàn₹φβ)池和(hé)HJT電(diàn)池，潛在需求值得(de)期待。‍★'∑

薄膜市(shì)場(chǎng)主要(yào)由美(měi)國(guó)↓Ω₽FirstSolar占據，出貨量經曆多(duō)年(nián)停滞甚至萎縮後，近(jìλ ≠n)年(nián)來(lái)随著(zhe)新一(yī)代産品的(de)成本<'™大(dà)幅下(xià)降，2019年(ni® ‌®án)FirstSolar公司組件(jià↑™≥n)産量大(dà)幅增長(cháng)112%∏"☆至5.7GW。薄膜太陽能(néng)電(diàn)池‌₽具有(yǒu)衰減低(dī)、重量輕、材料消耗少(shǎo)、制(zhìΩ€)備能(néng)耗低(dī)、适合與建築結合（BIPV★α®）等特點，依然是(shì)光(guāng)伏市(shì)場(chǎng)的(de)重要(yào)£δ∏$補充。

HJT電(diàn)池在當前商業(yè)化(huàλ÷÷♦)及準商業(yè)化(huà)組件(ji✔↑& àn)中轉化(huà)效率最高(gāo)，目前處₩∞β于中試或小(xiǎo)規模量産階段，随著(zhe)規模化(huà)生(shēng>♦ε)産及國(guó)産設備替代降本可(kě)期，按《中國(guó)光(guāng)伏産業(yè) £₽↔發展路(lù)線圖》》HJT市(shì)場(chǎng₹Ω)占比預計(jì)穩步提高(gāo)，從(cóng)而拉δ≤動靶材需求。

磁材記錄靶材

磁信息存儲、磁光(guāng)信息存儲和(hé)全光(guāng)信息存儲等。在光(guāng)<™÷盤、機(jī)械硬盤等記錄媒體(tǐ)，需要(yào)用(yòng)鉻基、钴β∑∞基合金(jīn)等金(jīn)屬材料。從(cóng)市(shì)場(chǎ↓©ng)格局看(kàn)，該領域市(shì<₩)場(chǎng)主要(yào)在海(hǎi)外(wài)。記錄靶材目前被東(dōng‍®∏¥)曹、賀利氏等海(hǎi)外(wài)企業(yè)占據，國(guó)​§☆®內(nèi)生(shēng)産企業(yè)數(shù)量和(hé)産能(néng)有( ✘β♦yǒu)限。

目前，機(jī)械硬盤（HDD）在一(yī)般消費(fèi)領域逐漸被速度更快(kuài)‌₹半導體(tǐ)存儲固态硬盤（SSD）替代，但(dàn)機(jī)械硬Ω®☆≤盤容量大(dà)、價格低(dī)、寫入次數(shù)不(&♦£βbù)限、數(shù)據恢複簡單，在服務器(qì)、數(shφ♦↕ù)據中心等領域優勢無可(kě)替代。

4. 市(shì)場(chǎng)規模

随著(zhe)全球經濟的(de)快(kuài)速發展及相(xλ×iàng)關技(jì)術(shù)創新的(de)推動下(xià)，近(jìn)年(n©δ£>ián)來(lái)全球濺射靶材行(xíng)業(yè'≈)市(shì)場(chǎng)規模穩步增長(cháng)。據資料顯示，20$β ∞21年(nián)全球濺射靶材行(xíng)業(y$☆™±è)市(shì)場(chǎng)規模為(wèi)2€✘♦€13億美(měi)元，同比增長(cháng)8.7%☆'↕。得(de)益于政策利好(hǎo)以及在技(jì)術(shù₽φ)創新推動下(xià)芯片、光(guāng)伏高(gāo)新技(jì)術(shù)産業λδσ‍(yè)需求不(bù)斷釋放(fàng)，我國(guε≤‍×ó)濺射靶材行(xíng)業(yè)規模不(b₹♦Ωù)斷擴大(dà)。據資料顯示，2021年(nián)我國≤ (guó)濺射靶材行(xíng)業(yè)市(shì)場(chǎ"☆♣ng)規模為(wèi)375.8億元，同比增長(cháng)11.5%≈©♣。自(zì) 2018 年(nián)到(dào) 2022 年(nián)β₽"≤，我國(guó)靶材市(shì)場(chǎng)規§♣模由 243 億元增長(cháng)至 39£α✔5 億元，CAGR 為(wèi) 12.91%≥©。據中商産業(yè)研究院測算(suàn)，2023 年(nián)中國(guó)靶材市(ε★shì)場(chǎng)規模将達到(dào) 431 億元，同比增長(chá×βσng) 9.11%。

我國(guó)高(gāo)性能(néng)濺射靶材行(xíng)業(yè)在國(guó‌↔∑)家(jiā)戰略政策支持以及下(xià)遊衆多(duō)應用(yòng)領域₩§$需求的(de)支撐下(xià)，行(xíng)業(yè)技(jì)術>•∑§(shù)不(bù)斷突破，産品性能(néng)不(bù)斷提升，帶動高(gāo)性能(né¥"ng)濺射靶材市(shì)場(chǎng)規模不(bù)斷擴大(dà)。據資料顯示，202>₩​1年(nián)我國(guó)高(gāo)性能(néng)濺射靶材行(xíng)業(yè)市(☆®'→shì)場(chǎng)規模為(wèi)241.8億元，同比增長(cháng)20%。₽£$

 6. 行(xíng)業(yè)競争格局

全球靶材市(shì)場(chǎng)呈寡頭競争格局，日(rì)美(měi)在高(gāo) β端濺射靶材領域優勢明(míng)顯。目前，全球濺射靶材市(shì)場(chǎng)主要(y→¶ào)有(yǒu)四家(jiā)企業(yè)，分(fēn)别是(shì)JX日(rì)礦金(jīn€÷÷)屬、霍尼韋爾、東(dōng)曹和(hé)普萊克斯，市(shδ<​ì)場(chǎng)份額分(fēn)别為(wèi)30%、20%、20%和(₩↑πβhé)10%，合計(jì)壟斷了(le)全球80%的(dα↔e)市(shì)場(chǎng)份額。其中美(měi)國(π​£guó)、日(rì)本跨國(guó)集團産業(yè)鏈完整，囊括金(jīn)屬提純、靶材制(zhì‌π)造、濺射鍍膜和(hé)終端應用(yòng)個(σλ®gè)環節，具備規模化(huà)生(shēng)産能(néng)力，在掌握先進技(jì)術(sh∏↓ù)以後實施壟斷和(hé)封鎖，主導著(zhe)技(jì)術(shù)革新和±←(hé)産業(yè)發展，在中高(gāo)端半導體(tǐ)濺射α★靶材領域優勢明(míng)顯。

 7.行(xíng)業(yè)壁壘

濺射靶材行(xíng)業(yè)存在客戶認證壁壘、技(jì)術(shù)壁壘、資金(jīn)壁壘、人(rén)才壁壘。濺射靶材行(xíng)業(yè)存在嚴格的(de)供應商認證機(jī)制(zhì)，新進企業(y£λ'®è)往往需要(yào) 2~3 年(nián)的(de)客戶評價認證✘←λ©。該行(xíng)業(yè)屬于典型的(de)技(jì)術(shù)密集型産業(y™↑÷è)，生(shēng)産商往往采取嚴格的(de)保密和(hé)專β 利授權措施，新進企業(yè)會(huì)面臨較高(gāo)的(de)技(jì)術÷≈™(shù)門(mén)檻。為(wèi)了(le)實現(xiàn)高(gāo)純濺射✔‌φ‍靶材産品的(de)研發，需要(yào)投入大(dà)量資金(jīn)，不(≤≥®bù)斷加大(dà)投資力度。産品的(de)研發和(hé)制(zhì)造還(hái)需要(≈≈★yào)有(yǒu)成熟經驗的(de)高(gāo)層次技(jì)術(shù)人(rén≠α)才，深刻理(lǐ)解生(shēng)産過程中的(de)關鍵技$©α®(jì)術(shù)環節。

高(gāo)純濺射靶材産品技(jì)術(sh↓♦☆ù)含量要(yào)求高(gāo)，流程 β≠​複雜(zá)。在金(jīn)屬提純環節中，往往需要(yào)→©經過熔煉、合金(jīn)化(huà)和(hé)鑄造等步驟，最✘'大(dà)限度地(dì)去(qù)除雜(zá)質，滿足生(shēng)産過程中對(d↑↓uì)大(dà)小(xiǎo)尺寸、金(jīn)屬成分(f€✘★ēn)的(de)要(yào)求。濺射靶材制(zhì)造環節則需要(yào)根據不(b¶±ù)同性能(néng)需求進行(xíng)工(gōng)藝設計✘®‌$(jì)，并反複進行(xíng)塑性變形、熱(rè)處理(lǐ)，工(gōng)序精細且繁多(duλ±ō)。濺射鍍膜對(duì)技(jì)術(shù)工(g↑εαōng)藝和(hé)生(shēng)産設備的(de)要(yào)求最高(gāo)，在這(zhè)σ>₩✘一(yī)過程中，濺射靶材需要(yào)在機(jī)台中完成濺射反應，濺射機(jī)台往往對↕‍αλ(duì)濺射靶材的(de)形狀、尺寸和(hé)精度存在‍™諸多(duō)限制(zhì)。不(bù)同應用(yòng)領域對(duì)金(jīn)屬材料的(de)選擇和(h↑  ✘é)性能(néng)要(yào)求也(yě)存在差異。

在高(gāo)純濺射靶材的(de)應用(yò₽ ™ng)領域中，半導體(tǐ)領域對(duì)于濺↕®射靶材的(de)技(jì)術(shù)要(yào)求‌$®最高(gāo)，其對(duì)于金(jī™★±n)屬材料純度、內(nèi)部微(wēi <↑)觀結構等均有(yǒu)嚴苛的(de)标準。半導體(tǐ)芯片要(yào)求靶材純度達到(dào) 99.99995%（5N5）以上(shàng)，所用(yòng)金(jīn)屬§≠α<靶材類型包括超高(gāo)純鋁靶、钛靶、钽靶等。靶材主要(yào)應用(yòng)在晶圓制(zhì)造和(hé)芯片封裝環節。平闆顯示器(qì)、太陽能(néng)電(diàn)池對(duì)濺射靶材的(de)技(jì)術(↓✔≥shù)要(yào)求稍低(dī)，純度要(yào)求均為(wèi) 99.99%（4N），其中，↔"平闆顯示器(qì)還(hái)要(yào)求靶材面積大(dà)、均勻程σδ↔•度高(gāo)。

8. 行(xíng)業(yè)發展前景

8.1 政策利好(hǎo)行(xíng)業(yè)發展

高(gāo)性能(néng)濺射靶材及下(xià)遊平面顯示、半導體(tǐ)、太陽能(nénλ'βg)電(diàn)池行(xíng)業(yè)均屬于國(guó)家(jiā)政策支持和(héγ♣β)鼓勵的(de)範疇，國(guó)家(jiā)出台了(le)一(yī)系列的(de)鼓勵政策和"¶(hé)指導意見(jiàn)，為(wèi)÷>行(xíng)業(yè)及下(xià)遊行(xíng)業(yè)的(de)發展創造了(le)→≤良好(hǎo)的(de)政策環境。

同時(shí)，為(wèi)鼓勵下(xià)遊∏∞行(xíng)業(yè)使用(yòng)國(guó)産高(gāo)性能(néng)濺射靶材，201↑ ✘¶5年(nián)11月(yuè)，财政部、發改委、工(gō∏αng)信部、海(hǎi)關總署、國(guó)家(jiā)稅務總局五部委聯合α€發布通(tōng)知(zhī)，規定進口靶材的(de)免€←βε稅期到(dào)2018年(nián)年(nián)底結束。自(zì)2019年(nián)起，從(cóng)美(měi)國(guó)及>​日(rì)本等國(guó)家(jiā)進口靶材需要(yào)繳納關稅，增加了(le)進口靶材的€₹±↔(de)成本，從(cóng)而進一(yī)步提高(gāo)國(guó)産靶材的(de)價格競争‌↕優勢。這(zhè)充分(fēn)顯示了(le)我國(guó)在重>™δ點行(xíng)業(yè)關鍵材料上(shàn$✔✘g)進行(xíng)進口替代的(de)力度與決心。¥π↑≈2020年(nián)9月(yuè)國(guó)家(jiā)發改委♣€←∏等四部門(mén)聯合印發《關于擴大(dà)戰略性新興産業(yè)投資培育壯大(dà)新增長(€♥↔¶cháng)點增長(cháng)極的(d&₽↑e)指導意見(jiàn)》，提出加快(kuài)新材料産業π∞←(yè)強弱項，圍繞保障大(dà)飛(f•Ω¶ēi)機(jī)、微(wēi)電(diàn)子(zǐ)制(zh®♥∏πì)造、深海(hǎi)采礦等重點領域産業(yè)鏈$€¥供應鏈穩定，加快(kuài)在光(guāng)刻膠、高(gā→©λεo)純靶材、高(gāo)溫合金(jīn)、高(gāo)性能(né‌ ng)纖維材料等領域實現(xiàn)突破。

2021年(nián)3月(yuè)全國(guó)人(rén)大(dà)通(tōng)>₽過《“十四五”規劃和(hé)2035年(nián)遠(yuǎn)景目标綱要(yào)》，φπ≠¶提到(dào)在集成電(diàn)路(lù)攻關方面，集成電(diàn)路(lù)設∞  計(jì)工(gōng)具、重點裝備和(hé)高(gāo)純靶材等關鍵材料為(wèi)研發方向。《國(guó)家(jiā)集成電(diàn)Ω•α路(lù)産業(yè)發展推進綱要(yào)♣↔》提出，到(dào)2020年(nián)我國(gπ "uó)半導體(tǐ)産業(yè)年(nián)增長(cháng)率不(bù)低(dī)于20♠≈♣%。同時(shí)，《中國(guó)制(zhì)造2025》也(yě)明(míng)确提出了(le)♥ 2020年(nián)我國(guó)芯片自(zì)給率要(yào)達到(dàoφ•∏)40%，2025年(nián)要(yào)達到(dào)✔∑50%的(de)标杆。而工(gōng)信部的(de)相(xiàng)關實施方案則±>•↕更提出了(le)新的(de)目标：10年(nián)內(nèi)力争實現(xi↑≠>∞àn)70%芯片自(zì)主保障且部分(fēn)達到(dào)國 ≠(guó)際領先水(shuǐ)平。

8.2 行(xíng)業(yè)景氣提升，下(xià)>☆遊市(shì)場(chǎng)需求持續擴大(dà)

高(gāo)性能(néng)濺射靶材是(shì)顯示面闆、半導體(tǐ)、太陽  ®能(néng)電(diàn)池、記錄媒體(tǐ)不(bù)可(™← kě)缺少(shǎo)的(de)原材料，進而廣泛應用(yòng)于消☆™★$費(fèi)電(diàn)子(zǐ)、智能(néng)✔₽家(jiā)電(diàn)、通(tōng)信照(zhào)←♣₽✘明(míng)、光(guāng)伏、計(jì)算(suàn)機♦→₩β(jī)、工(gōng)業(yè)控制(zhì)、汽車(chēλ≤♦)電(diàn)子(zǐ)等多(duō)個(gè)下(xià)遊應α₩≈用(yòng)領域。我國(guó)是(shì)全球最大(dà)的(de)消費(fèi)電(diàn)子(zǐ↕£)産品生(shēng)産國(guó)、出口國δ♦✘(guó)和(hé)消費(fèi)國(guó)，也"✘☆(yě)是(shì)全球最大(dà)的(de)集成電(diàn)路(lù)半導體(tǐ)消費(fèi)國(g♦≥uó)和(hé)進口國(guó)，在最終下(xià)遊衆多(duō)生(shēng)産及消費(fèi)領域的(de)需求驅動了(lε€₹€e)我國(guó)高(gāo)性能(néng)濺射靶材行(xíσ→ng)業(yè)快(kuài)速增長(chángσΩ)。因此，未來(lái)高(gāo)性能(néng)濺射靶材行(xíng)業(yè)高(gāo)≤$  速成長(cháng)的(de)确定性較高(gāo)，基本不(bù)會(huì≥✘≈)受到(dào)偶發性或突發性因素影(yǐng)響。

随著(zhe)全球平面顯示、半導體(tǐ)、太陽能(néng)電(diàn)→±βΩ池、記錄存儲等行(xíng)業(yè)生(shēng)産規模持續擴♦γ 張，直接帶動了(le)高(gāo)性能(néng)濺射靶材行(x‍<íng)業(yè)的(de)發展，使得(de)中國(guó)國(gu>®ó)內(nèi)濺射靶材使用(yòng)量快(kuài)速α↔增長(cháng)，給國(guó)內(nèi)濺射靶材廠£€ ×(chǎng)商帶來(lái)良好(hǎo)的(de)發展機(jī)遇。

8.3 國(guó)內(nèi)企業(yè)産品供應能(néng)∞ •±力不(bù)斷提升，行(xíng)業(yè)國(♥σ←guó)産化(huà)率提升

靶材的(de)發展，将形成技(jì)術(shù)與服務決定企業(yè)>σ×成敗的(de)局面。技(jì)術(shù)力量雄厚、研發産品品種多(duō)并具有(yǒu‍Ω≠)幾種特有(yǒu)産品的(de)靶材公司會(huì)在市(shìγ>∏)場(chǎng)競争中取得(de)話(huà)語權。規模的(de)擴大(dà)使銷售過程對(duì)資金(jīn)的(de'★®)要(yào)求提高(gāo)，資金(jīn)占用(yò✔♦©ng)量加大(dà)，周轉時(shí)間(jiān)變長(cháng)，這δ"(zhè)些(xiē)都(dōu)對(duì)靶材企業(β•© yè)運營管理(lǐ)提出更高(gāo)挑戰®α>←。鍍膜行(xíng)業(yè)的(de)擴大(dà)及發展↓×，将會(huì)使得(de)該行(xíng)業(yè)競争愈演<× 愈烈，對(duì)靶材供應商的(de)産品服務要(yào)求更高(gā₽‍→o)。

在行(xíng)業(yè)兼并重組加劇(jù)，以及2018年(n♠©ián)底進口靶材的(de)免稅期于結束的(de)背景下(xià)，預計(jì)國(gπ∑♣¥uó)內(nèi)企業(yè)靶材産品供應水(shuǐ)平能≥£✔(néng)力以及國(guó)産化(huà)率不(bù)斷提升持續成為™δ€↓(wèi)行(xíng)業(yè)發展趨勢，同時(β→® shí)國(guó)內(nèi)外(wài)技(jì)σ←§÷術(shù)差距将逐步縮小(xiǎo)，具體(tǐ)将體(tǐ)現(xiàn)為(wèi)高(gā♣'λ©o)純金(jīn)屬提純技(jì)術(shù)以及靶材制(zh✘± ↔ì)造技(jì)術(shù)的(de)提升。半導體(tǐ)領域對(duì)靶材晶粒晶向控制(zhì)的(de)要(yào)←★求提高(gāo)以及由薄膜太陽電(diàn)池轉化(huà)效率提高(gā ™÷o)帶來(lái)的(de)對(duì)該類電(diàn)池需求的(de)增長(chλ•©áng)将成為(wèi)行(xíng)業(yè)驅動點，同時(shí)π™δ，随著(zhe)顯示面闆、半導體(tǐ)産業(yè)≥←逐步向國(guó)內(nèi)轉移，國(guó)內(nèi)高(gāo)端靶材需求有(yǒu)☆>¥望持續增長(cháng)。