Micro LED介紹
瑞鵬資産 張晨玥
一(yī)、 技(jì)術(shù)基本情׶✘☆況介紹
Micro LED技(jì)術(shù)，即LED微(wēi)縮化(huà)和(hé)矩陣化(huà)技(jì)術( ↔γshù)，指的(de)是(shì)在一(yī)個(gè)芯片上(shàng)集成的(de)≈β↔£高(gāo)密度微(wēi)小(xiǎo)尺寸的(de)LED陣列，即LED顯₩✔示屏每一(yī)個(gè)像素可(kě)定址、單獨驅動點亮(liàng)，并将像素點距離(lí)從(cóng)毫米級降低(dī)至微(w↕±→ēi)米級。Micro LED的(de)像素單元在100微(wēi)米以下(xià)，并被高(gāo)密度地(dì)集成在一(yī)個(gè)芯片上(shàng)，每個(gè)像素都(∏↑₩dōu)被單獨尋址并驅動以發光(guāng)而無需背光(guāng)。微(w₩€↓ēi)縮化(huà)使得(de)Micro LED具有(yǒu)ε∞♠更高(gāo)的(de)發光(guāng)亮(liàng)₩€Ω♦度、分(fēn)辨率與色彩飽和(hé)度，以及更快(kuài)的(deα©≈)顯示響應速度，預期能(néng)夠應用(yòn ₹→g)于對(duì)亮(liàng)度要(yào)求較高(gāo)₽ ☆的(de)“增強現(xiàn)實（AR）”微γ§(wēi)型投影(yǐng)裝置、車(chē)用(yòng)平視(shì)顯示器(qì) "（HUD）投影(yǐng)應用(yòng)、超大(dà)型顯示廣§≠$告牌等特殊顯示應用(yòng)産品，并有(yǒu)望擴展到(dà≈<€o)可(kě)穿戴/可(kě)植入器(qì)件✔∞(jiàn)、虛拟現(xiàn)實（VR）、光(guāng)通(tōng)訊/光(guāng¶§♣)互聯、醫(yī)療探測、智能(néng)←£€↔車(chē)燈、空(kōng)間(jiān)成像等多(duō)™∏β¶個(gè)領域。與傳統的(de)液晶顯示器(qì)（LCD) 和(hé)有(yǒu)機(jī)✔&Ω發光(guāng)二極管 (OLED) 不(bù)同，Micro LED使用(yòng)了(le™♠δ')一(yī)種基于無機(jī)材料的(de)>≤半導體(tǐ)。Micro LED把LED單元微(wēi)縮至♥↕小(xiǎo)于50微(wēi)米的(de)'φ級别，比傳統LED小(xiǎo)大(dà)約100倍，将σ☆α£像素間(jiān)距從(cóng)毫米級降低(dī)到(dào)微(wēi)米級。由于像素單元低(dī)至微(wēi)米量級，Micro L↓↔ED顯示産品具有(yǒu)多(duō)項性能(nén&÷$ g)指标優勢：Micro LED功率消耗>Ω 量僅為(wèi)LCD的(de)10%、OLED的(de)50 γ%，其亮(liàng)度可(kě)達OLED的(de)10≠₹§∏倍，分(fēn)辨率可(kě)達OLED的(de)5倍。因此具有(yǒu)明(míng) <&顯的(de)顯示效果和(hé)應用(yòng)場(ch<×☆×ǎng)景的(de)優勢，不(bù)過目前LCD由于供應鏈更加成熟，而且成本↑£π↔低(dī)廉，依然占據著(zhe)主流。
uLCD顯示面闆成本較低(dī)，且具備了(le)體(tǐ♥♦)積小(xiǎo)、重量輕、耗能(néng)少(shǎo)等優勢，整體(t←≈→ǐ)技(jì)術(shù)也(yě)較為(wèi)成熟，故障率較低(dī)↕≥。
u與LCD相(xiàng)比，OLED屏幕的(de)優點主要(yà o)為(wèi)可(kě)顯示純黑(hēi)、不(bù)漏光(guāng)、近(jì<₽n)乎無限的(de)對(duì)比度、響應時(shí)間(jλ≈∑£iān)短(duǎn)、可(kě)彎曲、功耗低(dī)；缺點主要(yà♦o)為(wèi)壽命短(duǎn)、屏閃、像素密度點低(dī)。uMini LED将背光(guāng)層分(fēn)割成小(xiǎo)塊，通(tōng)過L→←₽ED芯片分(fēn)調光(guāng)，從(cóng)而改善LCD一(yī)直被诟病±✔的(de)黑(hēi)白(bái)對(duì)比度問'•(wèn)題，可(kě)以獲得(de)和(hé)OLED接近(jìn)的(∞₹$de)顯示效果，又(yòu)避免了(le)壽命等∑→問(wèn)題。uMicro LED可(kě)以說(shuō)©≈↕集成了(le)LCD和(hé)OLED的(de)全部優勢，具有(yǒu)畫(huà)質高(gāo© π↓)、能(néng)耗低(dī)、壽命長(cháng)等顯著優點，但(dàn)制(&♦∏≥zhì)造工(gōng)藝難度大(dà)，生(sα$♦hēng)産成本高(gāo)。Micro LED的(de)工(gōng)藝流程包括襯底制(zhì)備、外(wà♦α∞i)延片與晶圓制(zhì)備、像素組裝、缺陷監測、全彩化(huà)、光(guāng)提取與成型、像♣$σ✘素驅動等7個(gè)環節，其産業(yè)鏈包括芯片制(zhì≥ ₽)造、巨量轉移、面闆制(zhì)造、封裝/模¶✘↕組、應用(yòng)及相(xiàng)關配套産業(yè)。Micro ¶₽LED芯片微(wēi)小(xiǎo)化(h ♠εuà)使得(de)傳統的(de)制(zhì)造技(jì)術(shù)不(bù)再适用(yòng)™σ♦♥，在芯片制(zhì)備的(de)各個(gè)環節都(dōu)面臨著(zhe)全新的(de)技(jì♠πφ)術(shù)挑戰，成本居高(gāo)不(bù)下(xià)，這(zhè)也(yě) ® 制(zhì)約了(le) Micro LED 芯片₹ 當前的(de)滲透率。其中，外(wài)延生(shēng)長(cháng)、& 封裝制(zhì)程、全彩化(huà)、檢測修複與巨量轉移技(jì)術(shù)是™ ≈(shì)Micro LED所有(yǒu)關鍵技(jì)術(shù)點中最重∞✔要(yào)的(de)五個(gè)關鍵技(≥∞jì)術(shù)，對(duì)解決Micro LED∑±¥成本和(hé)效率難題起至關重要(yào)>©>•作(zuò)用(yòng)。（一(yī)）外(wài)延生(shēng)長(cháng)當前，半導體(tǐ)芯片制(zhì)程已經相(xiàng)當成熟但(dàn)是(shì)∞$←Micro LED支持技(jì)術(shùλ₽₽)及相(xiàng)關産業(yè)公司仍處于探索階段。與傳統LED産業(yè)鏈 β相(xiàng)比，Micro LED芯片的(de)微(wēi)縮化(huà)對(duì)芯片'&制(zhì)造提出了(le)更高(gāo)的(de)要(yào)求，它要(yà§Ωo)求将芯片尺寸縮小(xiǎo)至50um以下(xià)以滿足高(gāo)像素★&密度的(de)需求。因此，在外(wài)延∏≈制(zhì)備、ITO、光(guāng)刻、蝕刻、磊晶剝離(lí)電(diàn)測等環節都(dō←σ£u)面臨著(zhe)精細化(huà)工(gōng)藝、提高(gāo)良率等技(jì)術(shù)難±¶β題。此外(wài)，随著(zhe)LED芯片尺寸的(de)減小(xiǎo)，蝕刻過程中的(de)側壁§γ缺陷将對(duì)內(nèi)部量子(z §λ♥ǐ)效率(IQE)産生(shēng)影(yǐng)φ↓響，從(cóng)而大(dà)幅減少(shǎo)芯片的(de)傳輸效率，導緻外(wài™α"δ)部量子(zǐ)效率 (EQE)的(de)減弱。目前，引入反射膜添加劑和(hé☆÷$α)提前光(guāng)結構可(kě)以在一(yī)定程度上(s☆δ↑hàng)提高(gāo)EQE效率，但(dàn)在小(xiǎo)尺寸領域的(de)應用(y φ≤òng)仍然面臨工(gōng)程問(wèn)題，并且未來(lái)§φ&π的(de)發展仍然面臨挑戰。相(xiàng)較于傳統LED芯片，Micro L¶∏©×ED芯片的(de)間(jiān)距更小(xiǎo)，這(zhè)增加了(le)貼片♥™的(de)難度，并導緻成本呈指數(shù)級增長(chá↔±ng)。目前的(de)解決方案主要(yào)包括COB(芯✔ <片在闆上(shàng)) 和(hé)COG（芯片在玻璃上(s≥hàng))封裝技(jì)術(shù)，近(jìn)來(lái)還(₹↔φ★hái)出現(xiàn)了(le)一(yī)種新型封裝技(jì)術(shù)稱為(wèi)MI✘₽αP (Micro LED in Package εφ$)，即集成封裝。MIP在成本和(hé)效率方面具備一(yī)定優勢。MIP封裝技(jì)術(shù)具有(yǒu)高(gāo)精度的(de)基闆，芯片•☆δφ無需在封裝之前進行(xíng)測試和(hé↔♣π)篩選，而是(shì)在封裝過程中完成測試和(hé)分(fēn)選。這(zhè)樣可(×✔kě)以提高(gāo)生(shēng)産效率。此外(w↑αλ✘ài)，由于測試難度從(cóng)芯片級别轉變為(w≈₹èi)引腳上(shàng)的(de)點測，測試的(de)難度也(yě)有(yǒu₩ ©)所降低(dī)。另外(wài)，MIP技(jì)術(shù)±←¥£還(hái)可(kě)以采用(yòng)巨量轉移技(jì)術(shù)，∞→具備較大(dà)的(de)發展前景。目前，已經有(yǒu)國(guó)星光(guāng)電σ® (diàn)、芯映光(guāng)電(diàn)、利亞≥§™≥德、中麒光(guāng)電(diàn)等✘↔≥企業(yè)布局MIP封裝技(jì)術(sh㧱Ωù)路(lù)線。目前，在近(jìn)眼顯示領域，Micro LED尚無法實現(xiàn)全彩高(gā≥✘§₽o)亮(liàng)度顯示，在對(duì)分(f←♥ēn)辨率和(hé)色彩顯示要(yào)求極×β>高(gāo)的(de)AR/VR等應用(yòng)場(chǎng)景中仍然存在巨大♣ ±(dà)挑戰。Micro LED的(de)單色顯示相(xiàng)對(duì)較&§↕✘簡單，顯示、制(zhì)備和(hé)工(gōng®₽"≈)藝難度相(xiàng)對(duì)較低(dī)。然而全彩化(hπ₩β♣uà)方案的(de)工(gōng)藝複雜(zá)度較高(gāo∞π&)，目前已有(yǒu)的(de)解決方案包括RGB三色L§α×ED法、UV/藍(lán)光(guāng)LED+發光(guāng)介質法和(hé)¶Ω$ε透鏡合成法，但(dàn)這(zhè)些(x™iē)方案均存在一(yī)些(xiē)不(bù)足之處。在工(gōng)藝流程和(hé)材料方面，相(xiàng•♦)對(duì)于其他(tā)方案，UV/藍(lán)$★光(guāng)LED+發光(guāng)介質法更為σ<(wèi)簡單且在技(jì)術(shù)方案上(shàng)比熒光(g↔γ≤uāng)粉更具優勢。随著(zhe)量子(zǐ)點技(jì)術(shùα")的(de)不(bù)斷完善，UV/藍(lán)光 •(guāng)LED+發光(guāng)介質法具有(yǒu)更大(dà)的(d←×e)發展前景，并有(yǒu)望成為(wèi)全彩化(huà)顯示的(♣₹de)主流技(jì)術(shù)。 考慮到(dào)Micro LED芯片的(φ₩∞de)微(wēi)小(xiǎo)尺寸和(hé)間(jiān)距，傳✔> 統的(de)測試設備難以适用(yòng)，因此如(rú)何在百萬₩ε♠甚至千萬級的(de)芯片中進行(xíng)缺®λ&&陷晶粒的(de)檢測、修複或替換是(shì)一(yī)個(gè)巨大(dà)的(de)↓<挑戰，目前存在的(de)解決方案包括光(guāng)緻發光(guāng)測試和(hé)β'§φ電(diàn)緻發光(guāng)測試。光(guāng)緻發光(guāng)測試主要(yào)利用(yòng)光(guā↕λ§→ng)源激發矽片或太陽電(diàn)池片，通(tōng)過對(duì)¶✘₩特定波長(cháng)的(de)發光(guāng)信号✔↔進行(xíng)采集、數(shù)據處理(lǐ)，從(cóng)而識别芯 片缺陷。電(diàn)緻發光(guāng"✘ δ)測試則是(shì)指，在強電(diàn)場(chǎn✘"€g)作(zuò)用(yòng)下(xià)，芯片中的∑←(de)電(diàn)子(zǐ)成為(wèi)過熱(rè)電(diàn)子(zǐ)$→≈後根據其回到(dào)基态時(shí)所發出的(de)光φ✘(guāng)來(lái)檢測芯片缺陷。光(guāng)緻發光(guāng)測試可(kě)以®提供高(gāo)分(fēn)辨率和(hé)準确的(de)信息，但(dàn)受到(d✔π →ào)測試環境的(de)限制(zhì)，需要(yào)在無塵室等特殊條件(jiàn)下(xià)<★ 進行(xíng)。電(diàn)緻發光(guāng)測試相(xiàng)對(φ↔duì)簡單，但(dàn)對(duì)電(diàn)場(c≠¶εhǎng)和(hé)溫度的(de)控制(zhì)要(yào)求較高(gāo)，并εδ©且可(kě)能(néng)對(duì)芯片産生(sh♠£ēng)一(yī)定的(de)熱(rè)λπ影(yǐng)響。由于Micro LED的(de)芯片尺寸小(xiǎo₩©♣ε)，相(xiàng)較傳統LED單位面積下(xià)晶粒↓$♦數(shù)量龐大(dà)，需要(yào)将大(dà↕γ&¥)量LED晶粒準确且高(gāo)效轉移至電(diàn)路(lù)闆上(shàng)。以3840*2®160的(de)4K顯示為(wèi)例，需₩♣轉移晶體(tǐ)數(shù)量超過2,000萬，按照(zhào)常規轉移✔♣φ≤效率計(jì)算(suàn)，需要(yào)幾日(r'☆ì)甚至幾周才能(néng)完成全部的(deπ≤)晶粒轉移，晶粒轉移效率及良率控制(zhì)未達到(dào)量産÷®λ 标準，難以形成規模效應，制(zhì)備成本及産品價格居高(gāo)不(bù)下(xià↔ ±)。巨量轉移被認為(wèi)是(shì)實現(xiàn) Micro LED 價®β格大(dà)規模降低(dī)、從(cóng)而實現(xià& ←φn)其商業(yè)化(huà)落地(dì)的(de)核心技(πε★✔jì)術(shù)之一(yī)。若巨量轉移技(jì)術(shù)取得(de)突破，将♠≥≠帶來(lái)一(yī)個(gè)廣闊的(de)轉移設備市(shì)場(c↑♠$hǎng)。針對(duì)這(zhè)一(yī)技∏&(jì)術(shù)難點，業(yè)內(nèi)的(de)主流解決方案目前₩α←包括靜(jìng)電(diàn)吸附、相(xiàng)變化(huà)轉移、流體(tǐ)裝配、滾軸轉ε₹印、磁力吸附、範德華力轉印、激光(guāng)轉移等。激光(guāng)轉移在修複難度和π<(hé)轉移效率等維度上(shàng)效果更優♥×，未來(lái)有(yǒu)可(kě)能(néng)成為(wèi)巨量轉移的(de)主流技(★→jì)術(shù)。三、 産業(yè)鏈情況
2022年(nián)全球Micro LED市(shì)場(→÷chǎng)規模為(wèi)103.5億元，受技(jì)術(shù)、成本方面因素影(≈φ→←yǐng)響，Micro LED市(shì)場(chǎ₩®•ng)整體(tǐ)還(hái)處于商業(yè)化(huà)前期的(de)培育∞✘∑β階段。但(dàn)市(shì)場(chǎng)對(₩≤↑¥duì)大(dà)型化(huà)、小(xiǎo)型化(huà)以及高(gāo)效節能≠®(néng)顯示器(qì)的(de)需求，預計(jì)将持續推動未來(lái)5-8年(nián)≈£∏內(nèi)實現(xiàn)Micro LED商業(yè)化(huà)，整體(±λ✔tǐ)來(lái)看(kàn)行(xíng)業(yè)發展呈現(xiàn)樂(yuè)觀趨勢。根據頭豹研究院測算(suàn)，到(dào)2028年(nián)，全球Micrλ≈o LED顯示器(qì)市(shì)場(chǎng)規模将達到(dào)5,019.00億元人 ¥(rén)民(mín)币，2022-2028年(nián)均複合增長(cháng)•¶ 率達到(dào)91%，相(xiàng)比目前的(de)市(shì)場(chǎng)規模實現(x↓εiàn)顯著及高(gāo)速的(de)增長(cháng)。
Micro LED行(xíng)業(yè)的(d ★e)産業(yè)鏈較長(cháng)，上(shàng)遊為(wèi)芯片制(zhì)♥₹™造與巨量轉移，中遊為(wèi)面闆制(zhì)δ≠∏←造、下(xià)遊為(wèi)終端應用(÷÷<yòng)環節，下(xià)面将對(duì)産業(yè)上(shàng)中下(xiàα$)遊分(fēn)别進行(xíng)介紹。
（一(yī)）産業(yè)鏈上(shàng)遊
上(shàng)遊方面，随著(zhe)行(xíng)業(yè)周§®期的(de)變化(huà)，全球LED芯片産能(néng)逐漸向α≤中國(guó)大(dà)陸轉移，中國(g↕uó)将成為(wèi)LED芯片生(shēng)産的(de)核心市(shì)場(chǎng→<)，未來(lái)市(shì)場(chǎng)競争的(de)重點将↑→☆±聚焦在高(gāo)端技(jì)術(shù)和(hé∞✘)經營效率上(shàng)。在這(zhè)個(gè)過程中，三安光(∏≥ guāng)電(diàn)、乾照(zhào)光(guāng)電(diànφ♣∏¥)、華燦光(guāng)電(diàn)和(hé)兆馳股份等公司，已逐步成為(wèi)LED芯片市©ββ€(shì)場(chǎng)的(de)領導者。它們憑借掌握的(de)核心技(jì)術(shù)、自(zì)主知(zhī)識産權和(≤↑↔hé)知(zhī)名品牌，迅速占領了(le)市(shì)場(chǎng)份額，提升了(le)γπ↑産業(yè)集中度。據統計(jì)，2021年(nián)行(xíng)業(yè)前六大(dà)廠(chǎng)商的Ω↓♣≈(de)産能(néng)已占據總産能(néng)的(de)87.7%。 因此，未來(lái)LED芯片行(xíng)業(yè)的(de)競争格局将更β>₩為(wèi)有(yǒu)序。随著(zhe)産能(néng)向頭部企業(yè)的(de)進一(yγγī)步集中，中小(xiǎo)企業(yè)将面臨更大(dà)的(de)生αφ(shēng)存壓力。尤其随著(zhe)Mini/Micro LED技(jì)術(shù)的(de)普及，行 ₹σ(xíng)業(yè)領軍企業(yè)已開(kāi)始布局相(xiàng)關業(y≈δè)務，缺乏資金(jīn)和(hé)前瞻布局的(d&λe)中小(xiǎo)企業(yè)将逐漸被市(shì)場(chǎng)☆←淘汰。從(cóng)中國(guó)LED封裝市(shì)場(chǎng)的(de)構成來<₹(lái)看(kàn)，通(tōng)用(yò λλ♦ng)照(zhào)明(míng)器(qì)件(jiàn™™)依然占據主導地(dì)位，市(shì)場β®(chǎng)規模占比高(gāo)達51.2%。接下(xià)來(lái)是(shì)背光(guāng)封裝和(hé)顯示封裝，♣♣✔分(fēn)别占據17.4%和(hé)13.8%的(de)市(↑←×shì)場(chǎng)份額，而其他(tā)新興應用(yòng)領域如(rú)景觀照(z$₩® hào)明(míng)、車(chē)用(yòng)照(zhào)明(míng)和(h®₽é)信号指示燈等合計(jì)占比17.6%。随著(zhe)政府的(de)大(dà)力支持和(hé)技(jì)術(shù)的(de)普及，中≈÷國(guó)封裝行(xíng)業(yè)在起步階段吸引了(le)大(dà)量資本進入，從(cóng)而催生(shēng)了(le)大(dà)量的(de)中小(xiǎo)企≥₽© 業(yè)。這(zhè)導緻了(le)行(xíng)業(yè)集中度相(xiàng)對(duì)較低(dī™£')，競争激烈。然而，近(jìn)幾年(nián)随著(zhe)行(xíng)業(yè)調整加速和(←•hé)疫情影(yǐng)響，許多(duō)封裝企業(yè)的£®(de)營收出現(xiàn)下(xià)滑，企業(yè)數(shù)量也(yě)随之"減少(shǎo)。盡管如(rú)此，那(nà)些(xiē)規模較大(dà)、上(shàng)市₽ε₹×(shì)的(de)領先企業(yè)憑借規模效應和(hé)标準化(h≤εuà)生(shēng)産的(de)優勢，依然保持了(le)相(xiàng)對(duì)←×₹穩健的(de)業(yè)績和(hé)穩定的(de)産能(néng)。這(zhè)些(xiē)企業(yè)擠壓了(le)中小(xiǎo)型低(dī)端封裝企業(yè)的α∑£©(de)生(shēng)存空(kōng)間(jiān)。目前，國(guó)內(nèi)封裝行(xíng)業(yè)已形成“一(yī)超多(d€®↑™uō)強”的(de)格局。木(mù)林(lín)森(sēn)作(zuò)為(wèi)“一(yī&∏)超”，自(zì)2016年(nián)收購(gòu)LEDVANCE後，其營收規模迅速擴大(dà)三倍，成為(wèi)世界級γ★∑₩的(de)LED企業(yè)。而“多(duō)強”則包括國(guó)星光(guāng)電(diàn)、♦♦∑鴻利智彙、瑞豐光(guāng)電(diàn)和(hé)聚飛(fēi)光(guāng)電(dià♣< ←n)等一(yī)批規模相(xiàng)對(duì)較小(xiǎo)但(←±dàn)實力雄厚的(de)封裝企業(yè™₹≠)。
Micro LED目前應用(yòng)仍然以大(dà)型顯示器(qì)為(w¥&èi)主。2022年(nián)Micro LED出貨面積中75.4%為(wèi)TV，23.3%為( ♣™•wèi)公共顯示器(qì)，大(dà)型顯示器(≠δ✘qì)出貨面積占比達到(dào)98.7%。
一(yī)方面，由于LCD與OLED電(diàn)•Ω≤視(shì)受限于85寸以下(xià)，而Micro LED技(jì 'φ)術(shù)可(kě)以實現(xiàn)大(dà) ☆σ↓型顯示器(qì)的(de)制(zhì)造（Micro LED技(jì)術(shù)能(nén↑∑Ωg)夠創建由小(xiǎo)顯示塊制(zhì ≠¥©)成的(de)無縫大(dà)面積顯示器(q→₹ ì)，因此可(kě)以創建非常大(dà)的(de)顯示器(qì)，成本随顯<¥示器(qì)尺寸線性增長(cháng)，而标準的(de)LCD和(hé)↔×λ©OLED電(diàn)視(shì)顯示器♠ (qì)，随著(zhe)顯示器(qì)的(de)增長(chá←σ ng)，成本呈指數(shù)級增長(cháng)），因此Micro LED将成為(wèi)大(™©dà)型顯示器(qì)的(de)主流應用(™yòng)技(jì)術(shù)；另一(yī)方面，則是(shì)Micro L←₩♦ED技(jì)術(shù)在小(xiǎo)尺寸面闆上(shà→≥£ng)還(hái)存在技(jì)術(shù)瓶頸，同時(shí)價格昂貴，小(xiǎσ"♠δo)尺寸面闆上(shàng)應用(yòng©γ§)的(de)滲透率低(dī)。未來(lái)随著(zhe)Micro LED技(jì)術(shù•≤)的(de)發展及成本的(de)下(xià)≥δ₩降，也(yě)将進一(yī)步應用(yòng)于AR/V≥₽λ♠R等穿戴式設備及車(chē)用(yòng)大(dà)屏中，這(zhè)主要(yào)是(shì'÷≈)由于Micro LED技(jì)術(shù)自(zì)♥ 身(shēn)的(de)特性更加貼合這(zhè)兩種應用(≠<≤&yòng)場(chǎng)景的(de)需求：首先，Micro LED的(de)體(tǐ)積 γ小(xiǎo)，可(kě)以大(dà)幅縮小(xiǎo)屏幕尺寸；其次，Micro LED的(de)高(gāo)亮(liàng)度、高( σ&≈gāo)分(fēn)辨率和(hé)高(gāo)色彩飽和(hé)度等特點₽¥，使其在顯示效果上(shàng)遠(yuǎn)超傳統LCD和Ω♥✔(hé)OLED技(jì)術(shù)，為(wèi)這(zhè)些(xiē)設備提供了(le∞★)更清晰、更鮮豔的(de)視(shì)覺體(tǐ)驗；第三，Micro LED的(de)低(dī)功耗特點使其特γ✘别适合長(cháng)時(shí)間(jiān)、持續的₽•∏ (de)工(gōng)作(zuò)，如(rú←φ)穿戴式設備和(hé)車(chē)載顯示器(qì)等。這(zhè)大(dà)大(dà)提高(gāo)了(le)設備的(de←∏ε♦)續航能(néng)力，滿足了(le)用(yòng)戶長(cháng)時(shí)σ≤§≠間(jiān)使用(yòng)的(de)需求。
