編者按："毫米波近(jìn)炸引信技(jì)✔$術(shù)，作(zuò)為(wèi)現(xiàn)代軍事(shì)≈♥≤與國(guó)防科(kē)技(jì)的(de)重要(yào)突←¥破，正引領著(zhe)精确制(zhì)導與武器(qì)系統的(de)新一(y∏£÷§ī)輪革新。本期瑞見(jiàn)由瑞鵬資産王蒙旨帶您深入剖析毫米波技(jσì)術(shù)在近(jìn)炸引信領域的(de)✘✔♦₩最新進展與應用(yòng)前景，探討(tǎo)其如(rú)何賦能(néng)武器(qì)系統實¶♠♦ 現(xiàn)更高(gāo)精度、更強抗幹擾能(néng)力與更低(dī)功↕§&"耗，以官方視(shì)角展望其對(duì)國(guó)防安全∑ §及未來(lái)戰争形态的(de)深遠(yuǎn)影(yǐn↓π÷g)響。"
毫米波近(jìn)炸引信行(xíng)業(yè)概述一(yī)、毫米波行(xíng)業(yè)基礎概念射頻(pín)（RadioFrequency）是(shì)一(yī)種可(k✘→≈✘ě)以輻射到(dào)空(kōng)間(jiān)的(de)高(gāo)頻(pí₩§φn)交流變化(huà)的(de)電(diàn)磁波，頻(pín)率範圍為(wèi§≠)300kHz~300GHz，波長(cháng)1km~1mm，射頻(pín)技(★jì)術(shù)在無線通(tōng)信領域中被廣泛使用(yòng)。射≥→δ©頻(pín)中較高(gāo)頻(pín)段（300MHz-300¥&GHz）又(yòu)稱為(wèi)微(wēi)波頻(pín)段，←♣•波長(cháng)範圍為(wèi)1m~1mm。微(wēi)波÷$是(shì)分(fēn)米波、厘米波、毫米∞π♠波的(de)統稱，其中毫米波頻(pín)率範圍為(w讧&©i)30GHz~300GHz、波長(cháng)範圍為(λ •wèi)10mm~1mm。微(wēi)波具有(yǒu)波長(cháng§≤')短(duǎn)、頻(pín)率高(gāo)、穿透能(néng)力強、抗幹擾、不(bù)易受¥♦環境影(yǐng)響等一(yī)系列特點，容易制(zhì)成具有(yǒu)γ™體(tǐ)積小(xiǎo)、波束窄、方向性強、增益性高(gāo)等特性的(de)天線 & 系統，在雷達、通(tōng)信和(hé)電(diàn)子(zǐ)對(d♠←₹♠uì)抗系統中得(de)到(dào)了(le)廣泛應用(yòng)。微(wēi)波通(tōng)信& 的(de)主要(yào)方式是(shì)視(shì)距通(tōng)信，遠(yuǎε£ε♣n)距離(lí)通(tōng)信需要(yào)中繼轉發。€λ♦≤毫米波通(tōng)信具有(yǒu)以下(xià)特♠↓∑點：①視(shì)距通(tōng)信：由于毫↕<米波頻(pín)段高(gāo)，受大(dà)氣吸收和(hé)降雨(yβ ǔ)衰落嚴重，通(tōng)信距離(lí)較短(duǎn)。②具有(yǒu)“大(dà)氣窗(chuāng)口”和(hé)“衰減峰”：在某些(xiē)特殊頻(≥λpín)段附近(jìn)，毫米波傳播受到(dào)的(de)衰減較小(xiǎo)，适用(y→"òng)于點對(duì)點通(tōng)信；在某些(xiē)特殊頻(pín)段附近(jì♣•≠↕n)，毫米波出現(xiàn)衰減極大(dà)值，适用(yòng)于安全需求較高(gāo)的(d ♦e)隐蔽網絡和(hé)系統。③全天候通(tōng)信：毫米波對(duì)沙塵和(hé)煙(yānβ₹←)霧有(yǒu)很(hěn)強的(de)穿透力，幾乎能∞β× (néng)無衰減地(dì)通(tōng)過沙塵和(hé)煙(yān)霧。④極寬的(de)帶寬：毫米波帶寬高(gāo)達273.5GHz，超過從(cλβ™óng)直流到(dào)微(wēi)波全部帶寬的(de↓§)10倍。考慮大(dà)氣吸收後，總帶寬仍達135GHz，為(wèi)微(wēi)波以下Ω↕±φ(xià)各波段帶寬之和(hé)的(de)5倍。⑤波束窄：毫米波波束比微(wēi)波其他(tā)波段窄得(de)多(duō)，能(néng)分(f £ēn)辨相(xiàng)距更近(jìn)的(de)小(xiǎo)目标或更為(wèiπΩ)清晰地(dì)觀察目标的(de)細節。⑥探測能(néng)力強：可(kě)以抑制(zhì)多(duō)徑效應和(hé)雜(zá)亂回©≥★波，有(yǒu)效消除相(xiàng)互幹擾。⑦安全保密性好(hǎo)：毫米波波束窄、傳輸距離(lí)短(duǎn)，難以₹≤被截獲。⑧傳輸質量高(gāo)：由于毫米波的(de)頻(pín)段高(gāo)，幹擾源少(shǎo)，頻(♣<¥←pín)譜幹淨，信道(dào)穩定可(kě)靠。⑨元件(jiàn)尺寸小(xiǎo)：相(xiàng)比于微(wēi)波其他(tā)波α•₽&段，毫米波元器(qì)件(jiàn)尺寸小(xiǎo)，易于小(xiǎo σ☆)型化(huà)。
（2）射頻(pín)芯片
射頻(pín)芯片是(shì)指将無線電(diàn)信号通(tōng)信轉換成一(yī)定的(d$€↓e)無線電(diàn)信号波形，并通(tōng)過天線諧振發送出去(qù☆ )的(de)電(diàn)子(zǐ)元器(qì)件(jiàn)。射頻(pín)芯片分(fēn)為(wèi)"<射頻(pín)前端芯片和(hé)射頻(pín)收發芯片，€₹射頻(pín)前端芯片主要(yào)功能(néng)是(shì)實現(xiàn)信号的(d'₽e)發射和(hé)接收，射頻(pín)收發芯片則是(shì)用(yòng)于信号的(de)調制(zhì)與'♥解調。射頻(pín)前端芯片包括功率放(fàng)大(dλ€ à)器(qì)、低(dī)噪聲放(fàng)大(dà)器(qì)、幅相(xià≥≠→£ng)控制(zhì)芯片、濾波器(qì)和(hé)射頻(pín)開(kāi)關等。當前各種毫米波的(de)器(qì)件(jiàn)、芯片以及應用(yòng)都(dōu)被市(shì≈←™)場(chǎng)非常看(kàn)好(hǎo≥€★≠)且在大(dà)量開(kāi)發著(zhe)。相(xiàng)對(duìαΩ)于微(wēi)波頻(pín)段，毫米波∏≥有(yǒu)其上(shàng)述的(de)自(zì)身(shēn)的↓Ω÷(de)特點。首先，毫米波具有(yǒu)更短(↔≠πduǎn)的(de)工(gōng)作(zuò)波長(cháng)，可(kě)以有∏φ₽∏(yǒu)效減小(xiǎo)器(qì)件(jiàn)及系統的(de)尺寸；其次，毫米波有→>™×(yǒu)著(zhe)豐富的(de)頻(pín)譜資源，可(kě)以勝任未來(lái)超高(gāλ♣o)速通(tōng)信的(de)需求。此外(wài)，由于波長(cháng)短(duǎn)，毫米≤<φ波用(yòng)在雷達、成像等方面有(yǒu)著(zhe'↑§)更高(gāo)的(de)分(fēn)辨率。&n₽↓>bsp;由于毫米波的(de)前述特點，成為(wèi)非常具有♠×(yǒu)前景的(de)通(tōng)信手段，已在導彈制₹♥(zhì)導、相(xiàng)控陣雷達偵測、飛(fēi)行(xíng•α£)器(qì)高(gāo)度計(jì)、電(diànφα)子(zǐ)圍欄、衛星遙感等軍事(shì)領域得(de)到(d∞↔™ào)廣泛應用(yòng)。
二、毫米波芯片工(gōng)藝路(lù)線及發展趨勢
傳統的(de)毫米波單片集成電(diàn)路(lù)主要(yào)采用(yòng)化(huà)合↕→÷物(wù)半導體(tǐ)工(gōng)藝，如(rú)砷化(huàεφ)镓（GaAs）、磷化(huà)铟（InP）等，其在毫米波頻(pín)↑$✘段具有(yǒu)良好(hǎo)的(de)性☆•₹能(néng)，是(shì)該頻(pín)段的(de)主σ≈α流集成電(diàn)路(lù)工(gōng)∞₩↓♣藝。另一(yī)方面，近(jìn)十幾年(nián)來(lái)矽基（CMOS、SiGe等）毫米≥α波亞毫米波集成電(diàn)路(lù)也(yě)取得(de)了(le)巨大(dà✘ε')進展。此外(wài)，基于氮化(huà)镓（GaN）工(gōn¥>εg)藝的(de)大(dà)功率高(gāo)頻(pín)器(qì)件(jiàn)←λ₹也(yě)迅速拓展至毫米波頻(pín)段。
（一(yī)）毫米波芯片主要(yào)工(gōng)藝路(lù)線
1、GaAs和(hé)InP毫米波芯片
近(jìn)十幾年(nián)來(lái)，GaAs和(hé)InP工(gōng)λ★ €藝和(hé)器(qì)件(jiàn)得(de)到(dào)了(le£ ∞α)長(cháng)足的(de)進步。基于該類工(gōng) £÷<藝的(de)毫米波器(qì)件(jiàn)類型主要(yào)有 ∑(yǒu)高(gāo)電(diàn)子(zǐ)遷移率晶體(t↔≠ǐ)管（HEMT）、改性高(gāo)電(diàn)子(zǐ)遷移率♠→晶體(tǐ)管（mHEMT）和(hé)異質結雙極性晶體(&↓σtǐ)管（HBT）等。目前GaAs、mHEMT、InP、HEMT和(hé)InPHBT的(♥↔×Ωde)截止頻(pín)率（ft）均超過500GHz，最大(dπà)振蕩頻(pín)率（fmax）均超過1THz.2015年Ω÷ (nián)美(měi)國(guó)Northrop Gr☆✔÷umman公司報(bào)道(dào)了(le)↑ γ工(gōng)作(zuò)于0.85THz的(de)In PHEMT放(fàng)大(dà)λδ器(qì)，2013年(nián)美(měi)國(guó)Teledyne公司與加州理(lǐ)↕↓♣¥工(gōng)大(dà)學噴氣推進實驗室報(bào)道(dào)了£♣ (le)工(gōng)作(zuò)至0.67THz的(de)In PHBT放(fàng)大>¥$(dà)器(qì)，2012年(niánφ↕)和(hé)2014年(nián)德國(guó)弗朗霍夫應用(yòng)固體(tǐ)物(wù)™•↕€理(lǐ)研究所報(bào)道(dào)了(le)工(g♠∞β∑ōng)作(zuò)頻(pín)率超過0.6THz的(d★↓σe)mHEMT放(fàng)大(dà)器(qì)。
GaN作σ♦♣↑(zuò)為(wèi)第3代寬禁帶化(huà)合物(wù)半導體(tǐ)，具÷☆有(yǒu)大(dà)的(de)禁帶寬度、高(gāo)的(de)電(diàn)子(©zǐ)遷移率和(hé)擊穿場(chǎng)強等優點，器(qì)件(•∑÷jiàn)功率密度是(shì)GaAs功ε₽率密度的(de)5倍以上(shàng)，可(kě)顯著地(dì ↓)提升輸出功率，減小(xiǎo)體(tǐ)積和(hé)成本。随著( ααzhe)20世紀90年(nián)代GaN材料制(zhì)備技(jì)術(shù)的(de)♠δ≠逐漸成熟，GaN器(qì)件(jiàn)和(hé)電(diàn)路(lùΩ♦)已成為(wèi)化(huà)合物(wù)半導體(tǐ)電(diàn)路(lù)研制( ±zhì)領域的(de)熱(rè)點方向，美(měi)國(guó)、日₩β©¥(rì)本、歐洲等國(guó)家(jiā)将GaN作(zuò)為(wèi)微↑"(wēi)波毫米波器(qì)件(jiàn)和(hé)電(diàn)路(lù™¥£)的(de)發展重點。近(jìn)十年(nián)來(lái)，GaN的(de)低(dī≠←∏)成本襯底材料碳化(huà)矽（SiC）也(yě)逐>₽'★漸成熟，其晶格結構與GaN相(xiàng)匹配，導•♥熱(rè)性好(hǎo)，大(dà)大(dà)加©π快(kuài)了(le)GaN器(qì)件(jiàn)和(hé)β∑電(diàn)路(lù)的(de)發展。近(jìn)年(nián)來(lái)GaN功率器∏ (qì)件(jiàn)在毫米波領域飛(fēi)速發展，日(rì) £ 本Eudyna公司報(bào)道(dào)了(le)0.15m栅長(cháng)的§≥(de)器(qì)件(jiàn)，在30GHz功率輸出密度達13.7W/mm.美(mφφěi)國(guó)HRL報(bào)道(dào)了(le)多<×(duō)款E波段、W波段與G波段的(de)GaN基器(qì)件×'₽±(jiàn)，W波段功率密度超過2W/mm♣∑®，在180GHz上(shàng)功率密度達到(dào)296mW/mm.國(gu≤♦♣ó)內(nèi)在微(wēi)波頻(pín)段的(de)GaN功率器(qì α↕≠)件(jiàn)已基本成熟，到(dào)W波段×₽的(de)GaN功率器(qì)件(jiàn)也(yě)取得(de)進≥∑展。南(nán)京電(diàn)子(zǐ)器(qì)件(jiàn)研究所研制(zhì)的(de∞₩↔)Ka波段GaN功率MMIC在3436GHz頻(pín)帶內(nèi)脈沖輸€♣δ€出功率達到(dào)15W，附加效率30%，功率增益大(dà)于20dB。
3、矽基毫米波芯片
矽基工(gōng)藝傳統上(shàng)以數(shù)字電(diànφ™)路(lù)應用(yòng)為(wèi)主。随著€↕©(zhe)深亞微(wēi)米和(hé)納米工(gōng)藝♠Ω₽↑的(de)不(bù)斷發展，矽基工(gōng)藝特征尺寸不(bù)斷減小(xiǎo)，栅長(cháλ&₹↔ng)的(de)縮短(duǎn)彌補了(le)電(diàn)子(zǐ)遷移率的(d φe)不(bù)足，從(cóng)而使得(de)晶體(tǐ)管 β的(de)截止頻(pín)率和(hé)最大(dà)振蕩頻(pín)&β↑率不(bù)斷提高(gāo)，這(zhè)使得(de)矽工(gōng)藝在毫米波甚至太赫茲頻(pí¥₩n)段的(de)應用(yòng)成為(wèi)可(k €ě)能(néng)。國(guó)際半導體(tǐ)藍(lγε₹án)圖協會(huì)（InternaTIonalTechnologyRoadmσ≥↔£apforSemiconductors）預測到(dào)2030年(nián)CMOS工α✘(gōng)藝的(de)特征尺寸将減小(xiǎo)到(dào)5nm&♣，而截止頻(pín)率ft将超過700GHz。德國(guó)IHP研究所的(γ ±de)SiGe工(gōng)藝晶體(tǐ∏₩π')管的(de)截止頻(pín)率ft和(hé)最大(dà)振蕩頻(★∏®pín)率fmax都(dōu)已經分(fēn)别達到(dào)了(le)3∞δ↑φ00GHz和(hé)500GHz，相(xiàng)應的(deσ↓★)矽基工(gōng)藝電(diàn)路(lù)工(gōng)作(★>zuò)頻(pín)率可(kě)擴展到(dào)200GHα$z以上(shàng)。
（二）低(dī)成本矽基毫米波芯片發展潛力巨大(dà)
由于矽工(gōng)藝在成本和(hé)集成度方面的(de)巨大(dà)優↔ §勢，矽基毫米波亞毫米波集成電(diàn)路(lù)的(de)研究已成為(wèi)當前的(d£♣e)研究熱(rè)點之一(yī)。美(měi)國(guó)佛羅裡(lǐ)達大(dà)學 ★設計(jì)了(le)410GHzCMOS振蕩器(qì)，加拿( ♦'ná)大(dà)多(duō)倫多(duō)大(dà)學研制(z₩ε™hì)了(le)基于SiGeHBT工(gōng)藝的(de)170GHεε•z放(fàng)大(dà)器(qì)、160GHz混頻(pín)器(qì)和(h↕←>é)基于CMOS工(gōng)藝的(de)140GHz變頻(pín)器(qì)，美(mě≈₹α≠i)國(guó)加州大(dà)學聖芭芭拉分↕®©(fēn)校(xiào)等基于CMOS工(gōng)藝研制(zhì)了(le)150GHz↑Ω放(fàng)大(dà)器(qì)等，美( ≈↓¶měi)國(guó)康奈爾大(dà)學基于CMOS♣β↓工(gōng)藝研制(zhì)了(le)48• 0GHz倍頻(pín)器(qì)。在系統集成方面，加拿(ná)大(dà)多(Ω∏∑duō)倫多(duō)大(dà)學設計(jì)了(le)140GHzCMOS接收機₹★λ(jī)芯片和(hé)165GHzSiGe的(de)片上(shàng)收發系統，美(měi)國(& guó)加州大(dà)學柏克萊分(fēn)校(xiào)首次将60GHz頻(pí™☆§n)段矽基模拟收發電(diàn)路(lù)與數(shù)字基帶處理(lǐ)電(diàn)路(lù•♠✘)集成在一(yī)塊CMOS芯片上(shàng)，新加坡微(wēi)電(dià≥↔>n)子(zǐ)研究院也(yě)實現(xiàn)了(le)包括在₩☆片天線的(de)60GHzCMOS收發信機(jī)芯片，美(měi)§"國(guó)加州大(dà)學洛杉矶分(fēn)校(xià®φo)報(bào)道(dào)了(le)0.54THz的(de)頻(pín) ©≥δ率綜合器(qì)，德國(guó)烏帕塔爾綜♣←合大(dà)學研制(zhì)了(le)82σ×0GHz矽基SiGe有(yǒu)源成像系統，加州大(dà)學伯克利分(fēn)♠ •♠校(xiào)采用(yòng)SiGe工(gōng)藝成功研 ↕↔制(zhì)了(le)380GHz的(de)₩¥'↑雷達系統。日(rì)本NICT等基于CMOS工(gōng)藝實現(xiàn)了(le)3≤∏©↔00GHz的(de)收發芯片并實現(xiàn)了(le)超過10Gbpsλ→✔±的(de)傳輸速率，但(dàn)由于沒有(yǒu)功率放(fàng)大(dà)和(hé)低(dī'©)噪聲電(diàn)路(lù)，其傳輸距¶®'離(lí)非常短(duǎn)。通(tōng)過采≤'用(yòng)矽基技(jì)術(shù)，包含數(shù)字電(diàn)路±÷&(lù)在內(nèi)的(de)所有(yǒu)電(diàn)路(lù)均可(k✔♣ ÷ě)集成在單一(yī)芯片上(shàng)，因此有(yǒu∞$₩₽)望大(dà)幅度降低(dī)毫米波通(tōng)信系統的(dשe)成本。三、近(jìn)炸引信的(de)發展曆程以及未來(lái)趨勢近(jìn)炸引信的(de)出現(xiàn)可(kě)以追溯到(dào)2βε ♥0世紀30年(nián)代，德國(guó)是(shì)最先研制(zhì)↕&≈≠近(jìn)炸引信的(de)國(guó)家(ji¥λā)，之後，英、日(rì)等國(guó)紛紛加入了(le)近(jìn)炸引信的(de)研制(zh∞♦ì)行(xíng)列當中。在第二次世界大(dà)戰中，由于新型導彈的(de)出現(xiàn)以及雷λ§'達技(jì)術(shù)的(de)廣泛應用(yòng)，使得(de)近(jìn)炸引信在2↓δΩ"0世紀40年(nián)代之後得(de)到(dào)了(le)飛(fēi)躍發展。當時(shí)飛'φ(fēi)機(jī)上(shàng)裝載的(de)航空(kōng)✔↑導彈數(shù)量有(yǒu)限，造價高(gāo)且結構複雜(zá)，不(bù)可(kě)能(∞εnéng)像普通(tōng)航空(kōng)炮彈那(nà)樣大¶(dà)量消耗。同時(shí)，限于當時(£₩≥shí)技(jì)術(shù)水(shuǐ)平，在自(zì♥ ∑)動瞄準系統中存在無法避免的(de)誤差緻使導彈不(bù)能(néng)直接命中目★★标，因此，使導彈實現(xiàn)近(jìn)感起爆的(de)意義遠(yuǎn)遠(yuǎn≤ ')大(dà)于炮彈，這(zhè)也(yě)使得(de)近(jìn)炸引信成為(wèi)了(l'±↓e)不(bù)可(kě)或缺的(de)裝置。另外(wài)，雷達技(jì)φ≠ε術(shù)的(de)快(kuài)速發₽∏§≈展為(wèi)近(jìn)炸引信提供了(le)新的(de)技(jì)術(shù♥←✔)支持。美(měi)國(guó)對(duì)近(jìn•↓≠)炸引信的(de)研制(zhì)雖然晚于英日(rì)等國(guó)，但(dàn¥Ω✔©)很(hěn)快(kuài)将新的(de®)雷達原理(lǐ)應用(yòng)到(dào)近(jìn)炸引信上(shàng)，使得(de)其β<™γ迅速趕超，後來(lái)居上(shàng)。無線電(diàn)引信的(de)出現(xiàn)大(dà)大(dà)提高(gāo)φ$δ了(le)對(duì)目标的(de)高(gāo)效毀傷能(n" éng)力，在二戰後期以及之後的(de)朝鮮戰争中都(dōu)表現→λ★(xiàn)出了(le)巨大(dà)的(de)威®λ力，相(xiàng)比于觸發引信和(hé)時(shí)間(jiān)引信，其殺傷效果成倍或成幾☆™十倍提高(gāo)。這(zhè)一(yī)事(shì)實也(yě)引發了(l₩> e)世界各國(guó)對(duì)近(jìn)炸引信的(de)關注，紛紛投入大(d ∑γà)量的(de)人(rén)力物(wù)力将最先進的(de)技(jì)÷↓π•術(shù)優先考慮移植到(dào)近(jìn)炸引信上(shàng)面。根據美(měi)國(guó)引信年(nián)會(huì)資料，國(guó)π↔外(wài)引信從(cóng)最初的(de)機(jī)械觸發引信、電(dià∑€£n)子(zǐ)時(shí)間(jiān)引信發展到(dào)炸高(gāo)精确控制(zh→ ←ì)的(de)近(jìn)炸引信，再到(dào)多(duō)選擇引信，最終已發展為(wèi)>±★彈道(dào)修正近(jìn)炸引信。無線電(diàn)引信也(yě)從(cóng∏≈)早期的(de)電(diàn)子(zǐ)管型、晶體(tǐ)管型、固體(tǐ)電(diàn)路(l↔®✔±ù)型發展到(dào)特制(zhì)集成電(diàn)路(lù)型再♠★到(dào)如(rú)今與全數(shù)字信号處理(lǐ)™×技(jì)術(shù)相(xiàng)結合，引信的(de)集成化(huà)程度越來(lái)越高(φβΩ✔gāo)，精度逐漸提高(gāo)，抗電(diàn)磁幹擾的(de)能(néng)€≤☆力逐步增強，功能(néng)更加擴展，信息→£¶化(huà)水(shuǐ)平顯著提升。導彈引信，是(shì)利用(yòng)目标信息和(hé)環境信息，在αγ預定條件(jiàn)下(xià)引爆或引燃彈藥戰鬥部裝藥的(de)控制(zhì)裝置，是(sh×♠¥ì)裝在炮彈、炸彈、地(dì)雷、導彈等上(shàng)面的(de)一(yī)種¥☆≥δ引爆裝置。引信根據不(bù)同的(de)實現(→"xiàn)原理(lǐ)可(kě)以分(fēn)為(wèi)以下(xià)幾種類型：近(jìn)炸引信，又(yòu)稱為(wèi)近(jìnσ€∑¶)接引信或觸發引信，是(shì)一(yī)種裝備在∞✔σ↔導彈、炮彈、航空(kōng)炸彈等彈藥上(shàng)，在彈藥接近(jìn)目标時(←σδ shí)，由目标本身(shēn)某些(xiē)物(wù)理(lǐ)場(chǎng)（如(rú★≤)電(diàn)場(chǎng)、磁場(chǎng)、聲波、壓力波、沖擊波、光(guāng)輻射等♦←₹）的(de)作(zuò)用(yòng)而自(zì)動起爆的(de)裝置，通(tōng)δ ¶常由敏感裝置、安全裝置、傳爆裝置和(hé)執行(xí÷₹¶δng)機(jī)構等組成。近(jìn)炸 和(₹≠✔hé)武器(qì)的(de)制(zhì)©♠♠導有(yǒu)不(bù)同的(de)功能(néng)和(hé)β↔γ£作(zuò)用(yòng)，單從(cóng)作(z₩∏∑πuò)戰的(de)階段來(lái)看(kàn)，制(zhì)導是(shì$'≠∑)完成較遠(yuǎn)距離(lí)的(de)導引，近(jìn)炸是(shì)¥£'§貼近(jìn)目标的(de)近(jìn)距離(≤>®lí)探測，其他(tā)的(de)諸如(rú)空(kōng)投子(zǐ)母彈、高(gāo)爆彈≈×¥、雲爆彈、反輻射彈、煙(yān)幕彈、防空(kōng)反導、空>≤±Ω(kōng)空(kōng)彈等等都(dōu)需要(yào)配近(jìn)炸♥∏ 。近(jìn)炸的(de)作(zuò)用(yòng)能(néng)夠→¶使得(de)武器(qì)的(de)殺傷效果達到(dào)最大(dà)化(huà)，其中>≠®近(jìn)炸引信有(yǒu)具有(yǒu)很(hěn)大(dà)的(deγ∏)應用(yòng)和(hé)很(hěn)明(míng)顯的(de)優勢。φ§高(gāo)效的(de)近(jìn)炸能(néng)夠帶來(lái)更大(dà)的( '¥de)毀傷效果，相(xiàng)比于碰炸，一(yī∏<♣)發近(jìn)炸炮彈的(de)殺傷力相(xiγ₹≈àng)當于3-13發碰炸的(de)效果，替換比在3-13。如(rú)果是(shì)測向攔截導彈要(yào)比迎面攔截更能(néng)以實★✔$現(xiàn)，目标小(xiǎo)、機(jī)動速度快(kuà&¥i)很(hěn)難精确到(dào)米級别精準碰炸目标，所以就(jiù)需要(yào)近♦÷♣(jìn)炸。
近(jìn)炸引信有(yǒu)的(de)✔≈₹技(jì)術(shù)路(lù)線分(fēn)✔ 為(wèi)光(guāng)電(diàn)的(de)（激光(guāng)和∑★βφ(hé)紅(hóng)外(wài)的(de)）、有(yǒu)無線電(diàn)的(de)和 ↑★(hé)微(wēi)波雷達，其中微(wēi)波雷達技(jì)術(shù)±©✔以毫米波探測技(jì)術(shù)為(wèi±&)主，毫米波探測相(xiàng)比于激光(guāng)和(hé)紅(hón&λδg)外(wài)在分(fēn)辨率方面有(yǒu)所欠缺，但(dàn)是(shì)光(gu✘®σ≥āng)電(diàn)技(jì)術(shù)很(hěn)容易受到(dào)天氣、∞π₽煙(yān)霧等影(yǐng)響，當戰場(chǎng)的♠εγ(de)第一(yī)波攻擊起來(lái)之後，就(jiù)有(yǒu)很(hěn)多(dπ©uō)的(de)煙(yān)塵會(huì)影(y₽≈"ǐng)響光(guāng)電(diàn)的(d ♦ e)探測效果，但(dàn)是(shì)毫米波具有(yǒu)很♦♣γ§(hěn)強的(de)煙(yān)霧穿透能(néng)力，能(néng)夠保證全天候的(Ω ♥de)作(zuò)戰，尤其針對(duì)一(yī)些(xiē)反隐身(shēn)的(de)裝×λ備有(yǒu)著(zhe)更高(gāo)的(de)成像精度和(hé)識 Ωγ别能(néng)力，低(dī)成本毫米波近(jìn)炸引信将逐步成為(wèi)導彈引信技(jì)↓↕±÷術(shù)方案的(de)主流。近(jìn)年(nián)來(lái)，全球近(jìn)炸引信市÷(shì)場(chǎng)呈現(xiàn)穩步增長(chán$g)的(de)趨勢。這(zhè)主要(yào)是(shì)由于近(jìn)炸引信在現(xiàn)代戰争中扮演著(zhe←&)至關重要(yào)的(de)角色，尤其在提高(gāo)彈藥命中精度、毀傷效果和Ω•∑™(hé)作(zuò)戰效費(fèi)比方面←♣，具有(yǒu)不(bù)可(kě)替代的(de)作(zuò)用(yòng)。數(shù)據顯示，2023年(nián)全球近(jìn)炸引信市(shì)場(chǎ§$ng)收入為(wèi)14.65億美(měi)元，預計(jì)到(dào≥")2028年(nián)将增至20.69億美(měi)元。
